- 58
- 0
- 约5.1千字
- 约 85页
- 2020-07-23 发布于浙江
- 举报
集成电路技术讲座 第十一讲;内容;前言-质量目标;前言-实现质量目标的措施;(一)成品率和成品率模型;成品率;成品率;成品率趋势图(例);成品率趋势图(例);影响成品率的因素;成品率模型-泊松模型;成品率模型-墨菲(Murphy)模型;成品率模型-(Seed)模型;缺陷尺寸和致命性;缺陷的尺寸分布和致命性;按层次细分的成品率模型;缺陷密度趋势图(例);成品率和芯片面积(例);(二)制造环境-沾污控制;沾污的类型;颗粒;金属杂质;重金属杂质沾污;光电导法测少子寿命;清洗条件??寿命;spv;碱金属杂质沾污;氧化层沾污(可动电荷)监控;CV法测氧化层电荷;静电释放(ESD);静电释放(ESD)的防止;(三)工艺设计优化-试验设计;试验设计;刻蚀试验的全因素试验;刻蚀试验的正交矩阵(OA);刻蚀试验的试验参数;L8 OA试验刻蚀结果;方差分析;数据分析例;(四)统计过程控制(SPC)Statistical Process Control;工艺受控的概念;正态分布函数;X 控制图;控制图;SPC流程;控制图失控判据;工序能力指数 Ck和 Cpk;(五)设备状态的控制 Offline QC;设备状态的控制;扩散炉温度稳定性1175℃ 24hr ?T1℃;Boat in后温度变化;扩散炉升温特性;扩散炉降温特性;方块电阻控制图(重复性);多台扩散炉匹配;BOE腐蚀速率控制图
原创力文档

文档评论(0)