微电子技术新进展 课件.ppt

器件及互连线延迟 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 2019 2019 2019 2019 2019 2009 延 迟 值 ( n s ) 器件内部延迟 2 厘米连线延迟 （ bottom layer ） 2 厘米连线延迟 （ top layer ） 2 厘米连线延迟约束 互连技术与器件特征尺寸的缩小 – 新型器件结构 - 高性能、低功耗晶体管 FinFET Nano Electronic Device – 新型材料体系 ? SOI 材料 ? 应变硅 ? 高 K 介质 ? 金属栅电极 第三个关键技术 : 新器件与新材料 Challenges to CMOS Device Scaling 1. Electrostatics ? Double Gate - Retain gate control over channel - Minimize OFF-state drain-source leakage 2. Transport ? High Mobility Channel - High mobility/injection velocity - High drive current for low intrinsic delay 3. Parasitics ? Schottky S/D - Reduced extrinsic resistance 4. Gate leakage ? High-K Dielectrics - Reduced power consumption 5. Gate depletion ? Metal Gate 1 2 3 BULK 4 5 ? Si CMOS is expected to dominate for at least the next 10 - 15 years ? while scaling of traditional FETs is expected to slow in the next 5-10 years, so finding ways to add function and improve performance of future ICs with new materials and device structures is crucial. SOI(Silicon-On-Insulator ） 绝缘衬底上的硅技术 QUASI-PLANAR SOI FinFET 微电子技术新进展 西安理工大学 电子工程系 高 勇 内容简介 ? 微电子技术历史简要回顾 ? 微电子技术发展方向 – 增大晶圆尺寸和缩小特征尺寸面临的挑战和 几个关键技术 – 集成电路 (IC) 发展成为系统芯片 (SOC) 可编程器件可能取代专用集成电路（ ASIC ） – 微电子技术与其它领域相结合将产生新产业 和学科 EEI ? 1952 年 5 月 ， 英 国 科 学 家 G. W. A. Dummer 第一次提出了集成电路的设想 ? 1958 年以德克萨斯仪器公司的科学家基尔 比 (Clair Kilby) 为首的研究小组研制出了世 界上第一块集成电路，并于 1959 年公布。 集成电路发明 50 年 EEI 1958 年第一块集成电路： TI 公司的 Kilby ， 12 个器件， Ge 晶片 获得 2000 年 Nobel 物理奖 The Moores Law Moores Law: Quantitative 微电子技术是 50 年来发展最快的技术 EEI 世界上第一台计算机 大小：长 24m ，宽 6m ，高 2.5m 速度： 5000 次 /sec ；重量： 30 吨； 功率： 140KW ；平均无故障运行时间： 7min 第一台通用电子 计算机： ENIAC 1946 年 2 月 14 日 Moore School ， Univ. of Pennsylvania 18,000 个电子管 70000 个电阻、 10000 个电容器以 及 6000 个继电器 组成。 EEI ? 1979 年 3 月 ? 16 Bit ? 2.9 万晶体管 ? 5 到 8M