采用igbt优化软开关应用中的损耗.pdfVIP

采用 IGBT 优化软开关应用中的损耗 中心议题： IGBT 种的 TrenchStop 和 RC-IGBT 技术 RC2-IGBT 的技术优势对比 降低饱和压降造成的损耗对比 IGBT 技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来 优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终止”概念(也有称为“软 穿通”或“轻穿通”)降低晶圆n 衬底的厚度。 　　 此外，带有单片二极管的 IGBT 概念也经常被探讨。首先投产 的逆导型 IGBT 是针对电子镇流器应用进行优化的，被称之为 “LightMOS”。 本 文 介 绍 了 集 成 续 流 二 极 管 (FWD)的 1200VRC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的 1,200V 逆导型 IGBT 所取得的重大技术进步。 　　 TrenchStop 和 RC-IGBT 技术 　　 在采用的 TrenchStop 技术中，沟槽栅结合了场终止概念(见图 1 中的IGBT)。由于发射极(阴极)附近的载流子浓度提高，沟槽栅 可使得导通损耗降低。场终止概念是 NPT 概念的进一步发展， 包含一个额外的植入晶圆背面的 n 掺杂层。 　　 将场终止层与高电阻率的晶圆衬底结合起来，能使器件的厚度 减少大约三分之一，同时保持相同的阻断 电压。随着晶圆厚度 的降低，导通损耗和关断损耗也可进一步降低。场终止层掺杂 度低，因此不会影响背面植入的低掺杂 p 发射极。为了实现 RC-IGBT，二极管的部分 n 掺杂背面阴极( 图 1)将与 IGBT 集电 极下面的 p 发射极结合起来。 　　 RC-IGBT 的 沟槽 栅 概 念 所 基 于 的 技 术 与 传 统 的 TrenchStop-IGBT(见图 2)相同，但针对软开关应用所需的超低 饱和压降 Vce(sat)进行了优化，比如 电磁炉或微波炉应用。数 以万计的沟槽栅通过金属(铝)相连，该金属铝层同时也是连线 区。栅极和发射极之间的区域和端子被嵌入绝缘亚胺薄膜里。 最 新 的 投 产 型 RC2-IGBT， 其 沟槽 栅 极 更 小 ， 与 标 准 TrenchStop-IGBT 相比要多出 150%的沟槽栅单元。图3 为基于 TrenchStop 技术的最新一代 RC2-IGBT 的沟槽栅截面图。 　　 超薄晶圆技术 　　 由于导通 电压和关断损耗在很大程度上取决于晶圆的厚度，因 此需要做更薄的 IGBT。图4 显示了英飞凌 600/1,200VIGBT 和 EMCON 二极管的晶圆厚度趋势。对于新型 1,200VRC-IGBT 而 言，120um 厚度晶圆将是标准工艺。这需要进行复杂的晶圆处 理，包括用于正面和背面的特殊处理设备。将晶圆变薄可通过 晶圆打磨和湿式化学蚀刻工艺实现。 　　 新型 RC2-IGBT 的优势 　　 来自英飞凌的新型 RC2-IGBT 系列产品是以成熟的 TrenchStop 技术为基础的，具有超低饱和压降。此外，IGBT 还集成了一个 功能强大且正向电压超低的二极管。 　　 新型 RC2-IGBT 的优势是针对软开关应用(比如微波炉、电磁炉 和感应加热型 电饭煲)进行优化的定制解决方案。与以前的器 件相比，RC2-IGBT 可提升性能，降低饱和压降损耗。这可导致 非常低的总体损耗，因此所需的散热器更小。另外一个优势是 最大结温被提高到 TvJ(max)=175℃，比普通IGBT 芯片提高了 25℃。这种结温已通过 TO-247 无铅封装的应用验证。 图 1 ：应用 TrenchStop 技术的 RC-IGBT 　 图2 ：RC-IGBT 芯片(IHW20N120R)前视图 　 图3 ：基于TrenchStop 技术的最新一代RC2-IGBT 的沟槽栅截 面图(沟槽栅里的洞是为分析准备) 　 图4 ：IGBT 和二极管晶圆厚度变化 　　 在典型饱和压降 Vce(sat)=1.6V@25℃/1.85V@175℃和典型正 向电压Vf=1.25V@175℃(额定 电流)的条件下，功率损(特别是 软开关应用的导通损耗)可大幅度降低。由 IHW20N120R2 的下 降 时 间 的 切 线 可 看 出 高 速 度 —tf=24ns@25℃ 和 Rg=30Ω(44ns@175℃)。IHW30120R2 在下降 时间方面是最为 出色的：tf=33ns@25℃，Rg=30Ω ；tf=40ns@175℃。(在硬开关条 件下测量，参见带有 Eoff 曲线的图6