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采用射频功率放大器驱动器的无线系统实现 摘要： 采用射频功率放大器 驱动器的无 线系统实现 关键字： , , , , 业界 领先的 TEMPO 评估服 务每天新产 品时刻新体验华南 城：中心枢 纽连接四方全球 认证证高性能 贴片片保 险丝 FRAM 铁铁电 非 易 失 性 性 随 机 存 取 存 储储器 分 享 您 的 故 事 ， 赢 取 英 国 FA 杯决 赛 之旅 IC 分 销商如何 选择 管理 软件目前，已 经可 以在 1.2V 65nm CMOS 技 术的基础上 实现 8Vpp 和脉冲 宽度 调 制射 频高 压/ 大功率 驱动器。在 0.9 到 3.6GHz 的工作频率范 围 内，该芯片在 9V 的工作 电压下可向 50Ω 负载提供 8.04Vpp 的 最大输 出摆幅。这使得 CMOS 能够直接连接并 驱动 LDMOS 和 GaN 等功率晶体管。 该驱动器的最大 导通 电阻为 4.6Ω 。2.4GHz 时所测量的占空比控制范 围为 30.7%到 71.5%.通过使用新型薄 氧化层漏极延伸 MOS 器件， 该驱动器可 实现可靠的高压操作， 而这一新型器件通过 CMOS 技 术实现时无需额外的 费用。 技 术背景 现代无 线手持通信无 线电(包括 (RF)(PA)在内 ) 均是在深 亚 微米 CMOS 中得以实现。不过 ，在无线基 础设施系 统 中，由于 需要较大的输 出功率等级，必须通过硅 LDMOS 或混合技术(如 GaA 和更先进 的 GaN)才能 实现 RF PA.对下一代可重新配置的 基 础设施系 统而言，开关模式 PA(SMPA) 似乎能 为 多频带 多模 式 发 射 器 提 供 所 需 的 灵 活 性 和 高 性 能 。 但 是 ， 为 了 将 基 站 SMPA 中使用的高功率与发射器的所有数字模 块相 连 ，需要能 够生成高压(HV)摆幅的 宽带 RF CMOS 驱动器。 这样不仅能 实 现更优 的高功率晶体管性能，而且还能将数字信号 处理直接用 于控制所需的 SMPA 输入脉冲波形，从而提高系 统整体性能。 设计挑 战 LDMOS 或 GaN SMPA 的输入 电容通常 为几个皮法，必 须 由振幅高于 5Vpp 的脉冲信号驱动。因此，SMPA CMOS 驱动器 必 须 同时提供高 压和瓦特 级的射频功率。遗憾的是，深 亚微米 CMOS 给高 压和大功率放大器及 驱动器的 实现提出了 诸 多挑 战，尤其是极低的最大工作 电压(即可靠性 问题引起的低击 穿 电压)和损耗 较大的无源器件(例如用于阻抗 变换) 。来源:大比特 半 导体器件网 现有解决方案 用于 实现高 压电路的方法并不多。可以采用能 够实现高 压 容限晶体管的技 术解决方案 (如多栅氧化 层) ，但代价是生产流 程 较昂贵，必须 向基线 CMOS 工艺添加额外的掩模和 处理步骤， 因此这种方案并不理想。此外， 为可靠地增加高 压耐受力，可 以采用仅使用 标准基 线晶体管(使用薄/ 厚氧化层器件) 的 电路方 案。在第二种方法中，器件堆叠或串联阴极是最常见的例子。但 是，射 频 复杂性和性能具有很大的局限性，尤其是当串 联阴极 (或堆叠)器件的数量增加至 2 个或 3 个以上 时。另一种实现高 压电路的途径就是如本文所述的在基 线 CMOS 技 术 中使用漏 极延伸 场效应管(EDMOS)来实现。来源 :大比特半 导体器件网 新的解决方案 漏极延伸器件基于智能布 线技 术 ，这得益于在 ACTIVE( 硅) 、 STI(氧化层) 及 GATE ( 多晶硅) 区域中可实现十分精细的尺寸， 并能在没有附加 费用的条件下，利用基线深亚微米 CMOS 技 术 实现 PMOS 和 NMOS 两种高压容限晶体管。尽管与采用 该工艺 的标准晶体管相比，这些 EDMOS 设备的 RF 性能 实际上较低， 但由于消除了与其他 HV 等效 电路相关的重要 损耗机制 (如串 联阴极) ，它们仍能在整个高 压电路中 实现较高整体性能。 来源 : 大比特半 导体器件网 因 此 ， 本 文 所 述 的 高 压 CMOS 驱 动 器 拓 扑 结 构 采 用 EDMOS 器 件 来 避 免 器 件 堆 叠 。 RF CMOS 驱动器 采 用 薄 氧 化 层 EDMOS 器件通 过 65nm 低待机功耗基 线 CMOS 工 艺制造， 且无需额外的掩模步骤或工序。对 PMOS 和 NMOS