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第四章 晶圆制造 第四章 晶圆制造 ． 法提单晶的工艺流程。说明 法和 法。比较单晶硅锭 、 和 三种生长方法的优缺 1．CZ 法提单晶的工艺流程。说明CZ 法和FZ 法。比较单晶硅锭CZ、MCZ 和FZ 三种生长方法的优缺 1 CZ CZ FZ CZ MCZ FZ 点。 点。 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 、溶硅 、引晶 、收颈 、放肩 、等径生长 、收晶。 法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩 答：、溶硅 、引晶 、收颈 、放肩 、等径生长 、收晶。 CZ 法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩 答： CZ 1415 埚内的高纯度电子级硅在 1415度融化 （需要注意的是熔硅的时间不宜过长 ）。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降 埚内的高纯度电子级硅在 度融化 （需要注意的是熔硅的时间不宜过长 ）。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降 低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出， 低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出， 同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。 同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。 50-100cm  法：即悬浮区融法。将一条长度 50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后 FZ 法：即悬浮区融法。将一条长度 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后 FZ 把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融 把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融 硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫 硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫 描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。 描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。 法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好 CZ 法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好 CZ 的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长 的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长 高电阻率单晶。 高电阻率单晶。 CZ 法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较CZ法高。②无需坩埚、石墨托，污染少 ③高纯度、高电阻率、低氧、 FZ法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较 法高。②无需坩埚、石墨托，污染少 ③高纯度、高电阻率、低氧、 FZ CZ 低碳 ④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。 缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很难得到 低碳 ④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。 缺点：直径不如 法，熔体与晶体界面复杂，很难得到 无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。 无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。