刘艳的GaNMOSFET器件研究.pptVIP

GaN基 MOSFET器件的研究 报告人：刘艳 2012年12月 内容 1.GaN材料 2.MOSFET器件 3. GaN MOSFET器件制作工艺介绍 4. MOSFET器件参数 5. GaN MOSFET器件研究现状及存在的问题 材料 Si GaAs SiC GaN 禁带宽度 Eg (eV) 1.12 1.42 3.25 3.4 相对介电常数 εr 11.8 12.8 9.7 9 热导率 (W/cmK) 1.5 0.5 4.9 2.3 击穿电场 (MV/cm) 0.3 0.4 3 4 电子迁移率 μ (cm2/Vs) 1500 8500 700 1000~2000 饱和漂移速度 vsat (107 cm/s) (峰值) 1 1 2 3 最大工作温度 T (℃) 300 300 600 700 2. MOSFET分类 P沟道 (a) (b) 4 .MIS结构 1.GaN材料 晶片 器件 作用 杂质 硅 双极型晶体管及其IC 隐埋区 Sb, As 隔离区 B, Al 基区 B, P 发射区 P, As, P-As, B 电阻 B:P 开关管及高速IC 提高开关速度 Au, Pt MOS晶体管及其IC 源、漏、沟道、阱 B:P, As 砷化镓 MIS IC，结型场效应晶体管及其IC 半绝缘区 H, O, Cr 源、漏 Zn, Be:S, Si, Sn 锗 pnp管 集电区、发射区 In-Ga, Al 掺入的杂质是电活性的，能提供所需的载流子，使许多微结构和器件得以实现。掺杂的最高极限约1021 atoms/cm3，最低1013 atoms/cm3 GaN主要工艺流程： (1)在蓝宝石衬底上使用氢化物气相外延 (HVPE)生长GaN外延； (2)采用低压化学气相淀积(LPCVD)在GaN上淀积栅介质层SiO2，淀积温度为900℃； (3)淀积0.5μm SiO2做保护层，进行离子注入Si形成源漏重掺杂； (4)离子注入完成后，对器件进行快速热退火，消除晶格损伤并激活杂质； (5)淀积形成源漏区接触和栅极接触。 1)方法选择 名称 PMMA 极型 + 灵敏度/μCcm-2 (电子能量20kV) 40-80 对比度 2-3 分辨率μm 0.1 通常的厚度μm 1 3)钝化处理 钝化是化学清洗的重要步骤之一。酸洗后因金属表面活化,暴露在大气中易受腐蚀。钝化处理是在酸洗之后用钝化液使金厲表面形成稳定的保护膜。 谢谢