第二章IC封装制程.ppt

超音波接合過程 超音波接合楔形接點 熱壓接合 (ThermocompressionBonding, T/C) ? 壓縮的目的 : 增加接合面積 、 減低界面粗造度對接 合品質的影響 ? 採接合工具與基板接墊同時加溫的方式： – 接合工具： 300~400 ℃ – 基板接墊： 150~250 ℃ ? 最常用的導線材料： – 金（抗氧化性佳） 、 鋁 ? 毛細管 ： 高溫耐火材料 – 氧化鋁 (Alumina, Al2O3) 、碳化鎢 熱壓接合過程 金屬線 形成融熔金屬球 ( 電弧 氫焰 ) 接合墊片 接合墊片 接合墊片 壓緊使之連結接 合墊片 打線頭退返 線夾 氧化鋁 、 碳化鎢 高溫耐火材料 熱壓接合過程 (cont.) 引線 接合墊片 接合墊片 引線 施壓及加熱使金屬線連結引線 線夾閉合加熱以截斷金屬線 打線接合步驟的溫度不可超過晶片接合的焊接熔點 熱超音波接合 (Thermosonic Bonding ， T/S) ? 為超音波接合和熱壓接合的混合技術 – 先在金屬末端成球 ， 再以超音波進行導線與接 墊間的接合 。 ? 接合工具不加熱 ， 基板維持在 150~250 ℃ 之 間 。 ? 接合溫度低 ， 可抑制接合介面的介金屬化合 物 (Intermetallic Components) 成長及減少基 板發生高溫劣化的機會 ? 最常用的導線材料：金（抗氧化性佳） 卷帶自動接合 (Tape Automated bonding) 卷帶自動接合 (Tape Automated bonding) ? 1968 通用電氣 (GE) 之 Minimond 封裝模組技術 ? 利用搭載有蜘蛛式引腳的捲帶軟片以內引腳接合 製程（ Inner Lead Bonding ， ILB ）完成與 IC 晶片 的聯線 ， 再以外引腳接合製程（ Outer Lead Bonding ， ILB ）完成與封裝基板的接合 。 ? 聯線密度高於打線接合 。 ? 為周列式接合 (Peripheral Array) 卷帶自動接合 ? The interconnections are patterned on a multilayer polymer tape. ? The tape is positioned above the `bare die so that the metal tracks (on the polymer tape) correspond to the bonding sites on the die 卷帶自動接合 卷帶自動接合 卷帶自動接合 覆晶接合 (Flip Chip) ? 1960 IBM ? C4 (Controlled Collapse Chip Connection) – 能控制接點高度 ? 在 I/O Pad 上沉積錫鉛球 ， 而後將晶片翻轉加 熱使錫鉛球軟化再與陶瓷基板相結合 ? 屬於平列式 (Area Array) 覆晶接合優點 ? 在 IC 的焊墊和接點上幾乎沒有限制 ， 易達到 高腳數的 IC ； ? 有故障或瑕疵可以再次加工 ； ? 界面接合的路徑短 ， 故阻抗較低 。 覆晶接合 Chip with Bumps Bumps 第二章 IC 封裝製程 IC 封裝 ? IC 封裝乃是將 IC 前段製程加工完成後所提 供之晶圓做切割分離成一顆顆晶粒，並外 接信號線以傳遞電路訊號，及做 IC 封膠來 保護 IC 元件。 IC 封裝製程 ? IC 封裝製程主要包括 – 晶圓切割 ； – 晶片黏結 ； – 連線技術 ； – 封膠 ； – 剪切成型 ； – 印字 ； – 檢測 ； IC 塑膠封裝的流程 晶圓切割 ? 在晶圓背面貼上膠帶 (Blue Tape) ? 晶圓黏片 (Wafer Mount) ? 晶圓切割機 Close-up of an operating saw, with cooling water spraying at the top of the rotating blade and the wafer. Photo courtesy of Disco. Portion of a diced wafer, still on the dicing tape. The dark cross is the tape below the wafer, visible through t