集成电路设计方法的发展历史.pdfVIP

精品资料 集成电路设计方法的发展历史、发展现状、及未来主流设 计方法报告 集成电路是一种微型电子器件或部件，由为杰克·基尔比发明，它采用一 定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及 布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在 一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组 成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。 集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性 能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如 收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控 等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体 管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。 一、集成电路的发展历史： 1947 年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中 第一个里程碑； 1950 年：结型晶体管诞生； 1950 年： R Ohl 和肖特莱发明了离子注入工艺； 1951 年：场效应晶体管发明； 1956 年： C S Fuller 发明了扩散工艺； 1958 年：仙童公司 Robert Noyce 与德仪公司基尔比间隔数月分别发明 了集成电路，开创了世界微电子学的历史； 1960 年： H H Loor 和 E Castellani 发明了光刻工艺； 1962 年：美国 RCA 公司研制出 MOS 场效应晶体管； 1963 年： F.M.Wanlass 和 C.T.Sah 首次提出 CMOS 技术，今天， 95% 以上的集成电路芯片都是基于 CMOS 工艺； 1964 年： Intel 摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每 18 个月增 加 1 倍； 1966 年：美国 RCA 公司研制出 CMOS 集成电路，并研制出第一块门阵 列（ 50 门）； 1967 年：应用材料公司（ Applied Materials ）成立，现已成为全球最大 的半导体设备制造公司； 1971 年： Intel 推出 1kb 动态随机存储器（ DRAM ），标志着大规模集成 电路出现； 1971 年：全球第一个微处理器 4004 由 Intel 公司推出，采用的是 MOS 工艺，这是一个里程碑式的发明； 可编辑修改 精品资料 1974 年： RCA 公司推出第一个 CMOS 微处理器 1802 ； 1976 年： 16kb DRAM 和 4kb SRAM 问世； 1978 年：64kb 动态随机存储器诞生，不足 0.5 平方厘米的硅片上集成了 14 万个晶体管，标志着超大规模集成电路（ VLSI ）时代的来临； 1979 年： Intel 推出 5MHz 8088 微处理器，之后， IBM 基于 8088 推出 全球第一台 PC ； 1981 年：256kb DRAM 和 64kb CMOS SRAM 问世； 1984 年：日本宣布推出 1Mb DRAM 和 256kb SRAM ； 1985 年：80386 微处理器问世， 20MHz ； 1988 年： 16M DRAM 问世， 1 平方厘米大小的硅片上集成有 3500 万个