场效应管讲解参考课件.ppt

予夹断曲线 i D v DS 2V v GS =0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 P 沟道 JFET 31 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定 v DS 下的 i D -v GS 曲线 v GS 0 i D I DSS V P 32 (a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 由输出特性曲线画出转移特性曲线 33 一、直流参数 (1) 夹断电压 V P ：当栅源电压 v GS =V P 时， i D =0 。 (2) 饱和漏极电流 I DSS ( I D0 ) ： I DSS 指的是对应 v GS =0 时的漏极 电流。 (3) 直流输入电阻 R GS R GS 在 10 6 ~10 9 Ω 之间。 通常认为 R GS →∞ 。 ３ . 主要参数 34 二、极限参数 场效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限 值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下： (1) 最大漏源电压 V (BR)DS 。 (2) 最大栅源电压 V (BR)GS 。 (3) 最大功耗 P DM ： P DM = I D · V DS 35 三、交流参数 1 跨导 g m ) / ( V m dv di g C v GS D m DS ? ? ? g m 的大小可以反映栅源电压 V GS 对漏极电流 i D 的控制能力 的强弱。 g m 可以从转移特性或输出特性中求得，也可以用公式计 算出来。 2. 输出电阻 r ds 输出电阻 r ds 定义为 GSQ v D DS ds di dv r ? 36 i D v GS 0 10 ℃ 30 ℃ 80 ℃ 10 ℃ 30 ℃ 80 ℃ 零温度系数点 场效应管的零温度系数点 四、关于温度稳定性 场效应管导电机理为多数载流子导电，热稳定 性较晶体三极管好。而且场效应管还存在一个零温度系 数点，在这一点工作，温度稳定性会更好。 37 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达 10 7 以上，但在 某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的 PN 结加正向电压时，将出现 较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下， PN 结的反向电流增大，栅源 极间的电阻会显著下降。 38 v GS i D 0 v DS :N 沟道加正压 P 沟道加 负压 (a) 转移特性 I DSS V P N 沟道 JFET N 沟道增强 MOS V T N 沟道耗尽 MOS P 沟道耗尽 MOS P 沟道增强 MOS V T P 沟道 JFET I DSS V P V P V P 39 (b) 输出特性 u DS i D 0 可变电阻区 0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 - 1 - 2 - 3 - 3 - 4 - 5 - 6 - 7 - 8 - 9 结型 P 沟 耗尽型 MOS P 沟道 - 3 - 4 - 5 - 6 0 - 1 - 2 0 1 2 3 - 1 - 2 - 3 3 4 5 6 7 8 9 结型 N 沟 耗尽型 增强型 MOS N 沟道 V GS / V V GS / V 结型 v GS 和 v DS 相反 增强型 v GS 同 v DS 同极性 耗尽型 v GS 任意 40 极 性 放大区条件 v DS N 沟道管：正极性 ( v DS >0) v DS > v GS － V P >0 P 沟道管：负极性 ( v DS <0) v DS < V GS － V P <0 v GS 结型管： 反极性 增强型 MOS 管：同极性 耗尽型 MOS 管：双极型 N 沟道管： v GS > V P ( 或 V T ) P 沟道管： v GS < V P ( 或 V T ) FET 放大偏置时 v DS 与 v GS 应满足的关系 41 § 5.3 场效应管放大电路 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流 区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： 场效应管是电压控制器件。它利用栅源电压来控制漏极 电流的变化。它的放大作用以跨导来体现，在场效应管的漏 极特性的水平部分，漏极电流 i D 的值主要取决于 v GS ，而几乎 与 v DS 无关。 42 1 、自偏压电路 2 、分压式自偏压电路 S V ? ? GS V G V DD g2 g1 g2 V R R R ? ? R I D ? R g ：使 g 与地的直流电位几乎 相同（因上无电流）。 R ：当 I S 流过 R 时产生直流压 降 I S R ，使 S 对地有一定的电 压： V GS = － I S R= － I D R<0 一、场效应管的直流偏置