霍尔传感器及其应用培训课件.pptVIP

压力传感器原理图 弹性元件 收到不同的压力产生不同的位移 霍尔元件在磁场中移动使霍尔电势变化 优选 * 3、霍尔测速计 霍尔传感器可以测量的物理参数有磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。在电机控制系统中,测速电路是其中具有代表性的实例之一。本实验系统采用博世力士乐传感实验装置, 主要由传感器实验台、直流稳压电源、传感器、直流电机和信号处理电路模块组成。 优选 * 3. 1、框图设计 根据霍尔传感器的工作原理, 设计一个路程测试电路, 通过信号拾取、低通滤波电路、单片机信号处理、显示输出等单元电路实现其功能, 采用数字示波器进行输出信号的动态观察和测量。该测试系统的结构框图如图13所示。 图13 霍尔传感器设计性电路框图 优选 * 优选 优选 优选 优选 优选 优选 优选 优选 霍尔传感器及其应用 姓名：陆鸣超 学号导师：苗中华 邮箱：635572715@ 优选 * 目录 一、霍尔传感器的结构和工作原理 二、霍尔传感器的分类及应用 三、霍尔传感器在测试系统中的一个举例 优选 * 介绍 将霍尔元件、放大器、温度补偿电路及稳压电源等做在一个芯片上称之为集成霍尔传感器(简称霍尔传感器)。它是磁敏传感器最常见的一种, 具有感受磁场的独特能力, 电路结构简单、噪声小、体积小、动态范围大、频率范围宽、寿命长等优点。可以用磁场作为被检测信息的载体, 在测量技术中, 将位移、力、加速度、角度、角速度、转速等非电、非磁物理量转换为电量。 优选 * 1、霍尔传感器工作原理 依据原理：霍尔效应 霍尔效应原理：把一个长度为L，宽度为b,厚度为d的导体或者半导体薄片两端通过控制电流I，在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的磁场，在薄片的两外两侧就会产生一个与控制电流I和磁场强度B的乘积成比例的电动势U。 优选 * 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力fL的作用，向内侧偏移，在半导体薄片C、D方向的端面之间建立起感应电动势。 fL=evB 图2 霍尔效应原理图 优选 * C D EH 感应电动势U在半导体膜上产生电场，于是电子在受到电场力fE的作用，方向与洛伦兹力相反。 fE =eU/b 图3 霍尔效应原理图 优选 * 当洛伦兹力和电场力大小相等的时候就达到了平衡即： fL +fE =0。于是就产生了霍尔电势EH。 设通过半导体的电流I为: I=-envbd（n为单位体积的载流子数量）则： EH=IB/end=SHIB SH灵敏度系数 C D EH 图4 霍尔效应原理图 优选 * 霍尔元件材料为什么必须用半导体材料？ 用金属材料可以么？ 霍尔元件材料为什么必须用薄片？ 用厚片可以么？ EH=IB/end=SHIB 可见，元件厚度越小，输出电压也越大。 霍尔系数:SH=1/(n*q)式中,n为载流子密度,一般金属中载流子密度很大,所以金属材料的霍尔系数系数很小,霍尔效应不明显; 优选 * 1.1、霍尔传感器材料 图5 实物图符号和测量电路 1．锗(Ge)，N型及P型均可。 2．硅(Si)．N型及P型均可。 3．砷化铟(InAs)和锑化铟(InSb)，这两种材料的特性很相似。 优选 * 1.2、霍尔传感器的主要技术指标 （1）额定激励电流 （2）灵敏度 （3）输入电阻和输出电阻 （4）不等位电动势和不等位电阻 （5）寄生直流电势 （6）热阻 （7）最大磁感应强度BM 优选 * 1.2.1、不等位电势 概念：当霍尔元件通以控制电流IH而不加外磁场时，它的霍尔输出端之间仍有空载电势存在，称为不等位电势。 出现的原因： 霍尔电极安装不对称 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀 控制电极接触不良造成的电流不均匀分布 优选 * 不等位电势的解决方案： 图6 不等位电势的补偿电路 把霍尔元件等效为一个电桥 所有能使电桥达到平衡的方法都可以用来补偿不等位电阻 优选 * 1.2.2、温度补偿 产生原因：霍尔元件是半导体材料制作的元件，因此，它的许多参数与温度有关。当温度变化时，载流子浓度、电阻率都会有变化，导致霍尔系数灵敏度和输入输出电阻的变化。 优选 * 1.2.2、温度补偿 采用恒流源与输入回路并联电阻。如图所示： 图7 温度补偿电路 优选 * 2、霍尔传感器分类 霍尔集成传感器分为线性型和开关型两大类。 1、线性型霍尔集成传感器的输出电压与外加磁场强度呈线性关系。而且在±0.15T范围内有较好的线性。因此可广泛应用在测量、自动控制等领域。 图8 线性霍尔传感器特性 优选 * 较典型的线性型霍尔器件如UGN3501等。目前,普及型录音机一般都没有全自动停机装置。这样,在录音机快进、快退完毕或轧带时电机还会继续运转,很容易损坏,并会对其运