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对Insb磁电阻特性研究实验中测量装置的改进 摘要：简述磁电阻特性研究的实验原理，并改进了原有实验的测量装置，采用外接恒压输入源和电压表、电流表的方式，简化实验数据采集过程中繁杂的调动开关及控制恒流输入的步骤，科学优化实验内容。 关键词：磁电阻；Insb传感器；测量装置改进 前言： 在通有电流的金属或半导体上施加磁场时，其电阻值将会发生明显变化，这种现象称为磁致电阻效应，简称磁电阻效应（Magneto Resistance，MR）。应用磁电阻效应构成的传感器件广泛应用于工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域，在经济生活中发挥着巨大作用。 磁电阻效应的发现最早始于英国科学家汤姆生（Thomson，1856-1940）。在随后的一百多年里，尤其是在过去的20多年中，随着金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻（Giant Magneto Resistance，GMR）及稀土氧化物的特大磁电阻（Colossal Magneto Resistance，CMR）的发现，以研究、利用和控制自旋极化的电子输运过程为核心的磁电子学得到了很大的发展，同时，利用巨磁电阻材料构成磁电子学器件，在信息存储领域中获得很大成功。例如，在计算机工业方面，GMR效应可以用来制造出磁头，这种读出磁头具有高灵敏度、低噪音和低磨损的特点。利用这种GMR效应做成的磁头，可提高硬盘的存储容量（10GB-100GB/）。1994年，IBM公司利用GMR材料制成硬盘读出磁头的原形，将硬盘系统的记录密度提高了7倍，达10GB/。GMR效应在计算机工业还可被用来制备磁电阻型随机存储器（Magneto Resistance Random-Access Memory），简称MRAM。这种随机存储器与现在常用的半导体存储器相比显著的优点是无挥发，即在断电的情况下仍能保存信息。Honeywell公司已经证明可以通过常用的刻蚀技术制备这种无挥发的磁电阻随机型存储器，而在速度和密度上接近现在的半导体随机存储器。由于巨磁电阻效应巨大的应用前景和内在丰富多彩的物理现象，已经成为新的研究热点，使得人们对于磁电阻效应的物理起源有了更深的认识，也促进了磁电阻效应的进一步应用。 磁电阻特性研究的原理 磁电阻(Magneto Resistance，MR)通常定义为 （8-1-1） 其中：(0)是零外场下的电阻率，(H)是外场下的电阻率。有时，上式也可以表示为 （8-1-2） 其中：R(0)是零外场下的电阻，R(H)是外场下的电阻。 根据（8-1-1）和（8-1-2）式，可以将磁电阻划分两类，即正磁电阻和负磁电阻。如果考虑磁场与电场之间的关系，又可以分为纵向磁电阻、横向磁电阻和垂直磁电阻。如图8-1-1所示，图中电阻沿电流方向测量。 图8-1-1 依赖与磁场和电流方向的三种磁电阻 (a)纵向磁电阻：(b)横向磁电阻：(c)垂直磁电阻。 目前，已被研究的磁性材料的磁电阻效应大致包括：由磁场直接引起的磁性材料的正常磁电阻（Ordinary Magneto Resistance，OMR）、与技术磁化相联系的各向异性磁电阻（Anisotropic Magneto Resistance，AMR）、掺杂稀土氧化物中特大磁电阻（Colossal Magneto Resistance，CMR）、磁性多层膜和颗粒膜中特有的巨磁电阻（Giant Magneto Resistance，GMR）、以及隧道磁电阻（Tunnel Magneto Resistance，TMR）等。图8-1-2列出了几种磁电阻阻值R随外磁场μ0H的变化形式。在以上磁电阻效应中，正常磁电阻应用最为普遍。 图8-1-2 几种典型的磁电阻效应 图8-1-3 正常磁电阻普遍存在于所有磁性与非磁性材料中，其来源于外磁场对载流子的洛仑兹力，它导致载流子运动发生偏转或产生螺旋运动，从而使载流子碰撞几率增加，造成电阻升高，因而，在正常磁电阻中，、和均为正，并且有。正常磁电阻与外场的关系如图8-1-3所示。在特定的温度，随外场的增加，在低场区域，正常磁电阻近似地与外场成平方关系。对于单晶样品，在较高的磁场区域，显示了饱和的趋势(曲线Ｂ)，而和显示出各向异性，即随外场增加或正比于(曲线A)或趋于饱和(曲线B)。对于多晶样品，在强场中，正常磁电阻则显示出与外场H的线性关系(曲线C)。正常磁电阻的各项异性来源于费米面的褶皱。 如果设载流子速度为，在洛仑兹力的作用下，沿外场方向作螺线运动，螺线的轴与方向平行，则载流子围绕该轴的角速度即回旋频率ωc为： (8-1-3) 式中是载流子的有效质量，μ是磁导率。由于散射和碰撞，载流子绕轴