第08章液晶显示器的阵列工艺技术.pptVIP

第 8 章 液晶显示器的 阵列工艺技术 长春工业大学 王丽娟 2013 年 02 月 10 日 平板显示技术基础， 2013 年，北京大学出版社 2 本章主要内容 8.1 阵列工艺概述 8.2 清洗工艺 8.3 溅射工艺 8.4 CVD 工艺 8.5 光刻工艺 8.6 干刻工艺 8.7 湿刻工艺 8.8 阵列工艺中常见缺陷 3 8.1 阵列工艺概述 Glass film PR Glass Glass Glass film 成膜 涂胶 曝光 显影 刻蚀 Glass 去胶 镀下一层膜 3PEP 源漏电极 4PEP 钝化及过孔 玻璃 1PEP 栅极 2PEP 有源岛 5PEP 像素电极 制屏 清洗 4 8.1 阵列工艺概述 (2) 成膜 (3) 涂光刻胶 (1) 清洗 (4) 曝光 (6) 刻蚀 (7) 去胶 (5) 显影 光 5 ? 清洗 ? 溅射 ? CVD ? 涂胶 ? 曝光 ? 显影 ? 湿刻 ? 干刻 ? 去胶 ? 检查 ? 终检 a-Si:H TFT 的阵列工序 6 清洗：就是用毛刷、气蚀等的物理方法及用化学腐蚀的化学方法或二者 相结合的方法，除去基板表面的灰尘、污染物及自然氧化物的工程。在 阵列中洗剂采用的是 NCW-601A0.3% 的表面活性剂。 表 面 活 性剂 毛刷 基板 8.2 清洗工艺 7 ? 溅射：就是在真空室中，利用核能粒子轰击靶材表面，靶材粒子在基 板上沉积的工程。在阵列中惰性气体有 Kr 、 Ar 气，靶材有 MoW 靶、 ITO 靶、 Mo 靶、 AL 靶。 ? 直流磁控溅射的特点：放电空间的电场和磁场垂直。放电空间的电子 回旋运动，放电气体的电离度大，射程长，产生高密度的等离子。 ? MoW 溅射、 ITO 溅射、 MoAlMo 溅射 溅射与真空渡膜的比较： 溅射 真空蒸渡 原理 原理 从靶材上溅射 热蒸发 形状 面 点 溅射与蒸发的原子的能量 约 10eV 约 0.2eV 冲击基板的高能量粒子 离子高能量的气体分子 没有 真空度 约 0.1~1Pa 的 Ar ~10-4Pa 的残留气体 8.3 溅射工艺 8 8.3 溅射工艺 靶材 Ar + Ar 基板 排气 功率 磁场 Ar Ar + 9 8.3 溅射工艺 10 CVD ：化学气相沉积。就是在高频电场的作用下，使反应气体电离形成 等离子体，反应离子及活性基团依靠从高频电场获得的能量从而能够在 较低的温度衬底上成膜。在阵列中，有 AP CVD （常压 CVD ）和 PCVD （等离子体 CVD ）两种。 ? AP CVD SiO ? PECVD 4 层膜 、 n+a-Si 、 钝化 SiNx ? AP CVD 在低温下形成致密薄膜； ? PCVD 可防止热产生的损伤及相互材料的扩散； ? PCVD 可生长不能加热生长及反应速度慢的膜； ? PCVD 利用平行电极可实现大面积化。 8.4 CVD 工艺 11 8.4 CVD 工艺 12 8.4 CVD 工艺 万级间 百级间 装载 / 卸载 P/C ：反应室 传送室 机械手 运 载 室 反应室电极板 13 通入反应气体 扩散板 基板 基座 升降机 泵 8.4 PECVD 三个基本的过程： ? 等离子相反应 ? 输运粒子到衬底表面 ? 表面反应 等离子体包括： 自由基 原子 分子 离子 电子 中性粒子 非中性粒子 14 1. 涂胶 - 前清洗 - 烘干 / 冷却 - 喷 HMDS / 冷却 - 涂胶 - 前烘 / 冷却 2. 曝光 - 用一次、分布曝光机曝光 - 曝光后烘烤 3. 显影 - 显影 - 后烘 - 显影后检查 8.5 光刻工艺 栅线 薄膜 玻璃基板 光刻胶 涂胶 曝光 显影 栅极 紫外光 掩膜版 15 涂胶：就是在基板上涂上一层光刻胶（树脂、感光剂、添加剂、溶剂）。 涂胶的方式是旋转基板，用滴管从中间滴下光刻胶，并同时吹入 N 2 ，滴 下的光刻胶从中间向四周散布涂敷整个基板的过程。光刻胶有正性和负 性之分。 8.5.1 涂胶 16 8.5.1 涂胶 17 8.5.1 涂胶 18 8.5.1 涂胶 旋涂 刮涂加旋涂 刮涂 涂胶的方法主要有旋涂、刮涂加旋涂、和刮涂三种 。 19 曝光：就是用掩膜版掩膜，紫外线（ UV ）照射，经紫外光照射的光刻 胶被改性，掩膜版上有图形的部分没被紫外光照射即没背改性，使得涂 在基板上的光刻胶部分的改性的过程。阵列中，曝光分一次曝光、分步 曝光、背面曝光。 8.5.2 曝光 20 显影：用显影液除去被改性的光刻胶的过程。 8.5.3 显影 21 ? 各向同性和各向异性刻蚀 8.6 干法刻蚀 刻蚀前 纵向刻蚀方向 横向刻蚀方向 各向同性刻蚀 刻蚀后 各向异性刻蚀 刻蚀后 光刻