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光电子技术研究所 第一类 α 从零很快上升到 α > 104cm -1 ,这 发生在直 接带隙半导体材料中,如砷化镓、磷 化铟和硫化镉等; 第二类上升缓慢,这发生在间接带隙半导体材 料中,如硅、锗、磷化镓、碲化镉和非晶硅等。 图给出某些半导体材料的光 吸收曲线 ( 即光透入深度曲 线 ) 。这些曲线的特点是, 当入射光子能量低于某种半 导体材料的带隙,即 hv E g 时,其 α 值小到接近于零; 当 hv 大于 E g 时, α 值增加很 快。根据 α 值上升情况,可 把半导体材料分为两类: 光电子技术研究所 根据这些材料的吸收曲线, 可以发现砷化镓和非晶硅的 吸收系数比单晶硅的大得多, 透入深度只有 1 μ m左右,即 几乎全部吸收入射阳光。所 以,这两种电池都可以做成 薄膜,节省材料 硅太阳电池,缓慢上升的 吸收曲线,对太阳光谱中 长波长光,要求较厚的硅 片 ( 约 100 — 300 μ m ) , 才能较充分吸收,而对短 波长光,只在入射表面附 近 l μ m 区域内已充分吸收 了。 光电子技术研究所 在零偏条件下,如用光照射 p 区或 n 区,只要照射光的波长 满足 λ ? λ c ,都会激发出光生电 子 --- 空穴对。 光照 p 区,由于 p 区的多数载流 子是空穴,光照前热平衡空穴 浓度本来就比较大,因此光生 空穴对 p 区空穴浓度影响很小。 相反,光生电子对 p 区的电子浓度 影响很大,从 p 区表面 ( 吸收光能多, 光生电子多 ) 向 p 区内自然形成电子 扩散趋势。 如果 p 区厚度小于电子扩散长度, 那么大部分光生电子都能扩散进入 P-n 结。 2 . pn 结的光电转换原理 光电子技术研究所 一进入 p-n 结.就被内电场拉向 n 区。 这样.光生电子一空穴对就被内电场 分离开来,空穴留在 p 区,电子通过 扩散流向 n 区。这时用电压表就能测 量出 p 区正 , n 区负的开路电压 u n ,称 为光生伏特效应。如果用一个理想电 流表接通 p-n 结,则有电流 i 0 通过.称 为短路电流。 综上所述, 光照零偏 p-n 结产生开路电压的 效应,称为光伏效应。 这也是光电池的工作原理。 光电子技术研究所 从上面分析可知,光生电压起源于定向光生电流提供的、 在势垒两边分别积累的两种光生电荷。 假设势垒区中复合可以忽略,各区电子空穴对产生率 为恒定值 G 的简单情况下,光生电流表达式可写成: I Ph = qAG ( L n +W+ L p ) 式中 q 是电子电荷, A 为势垒区面积, L n 、 L p 是电子和空 穴的扩散长度,W 是势垒区宽度。 光电子技术研究所 由上述分析可知,理想 pn 结太阳电池可以用 一恒定电流源 I ph ( 光生电流 ) 及一理想二极 管的并联来表示。故理想 pn 结太阳电池的等 效电路如图所示。 考虑实际太阳电池上存在泄漏电阻 R sh 和串联 电阻 R s ,那么,实际等效电路如图示。 二、等效电路、伏安特性及输出特性 l . pn 结太阳电池的等效电路 光电子技术研究所 2 .理想情况 在理想情况下, pn 结太阳电池的 R sh 很大, R s 很小,两者影响都可忽略。根据图所示 理想等效电路,三股电流应满足如下关系: I ph — I F + I =0 其中理想 pn 结二极管的正向注入电流为: 式中 I 0 是 pn 结反向饱和电流, q 是电子电 荷, k 是玻耳兹曼常数, T 为绝对温度。将 式代入得到通过负载的电流: ] 1 [exp 0 ? ? ? ? ? ? ? ? kT qV I I F ph ph F I kT qV I I I I ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ] 1 [exp 0 光电子技术研究所 这就是理想情况下负载电阻上电流与电 压的关系,即太阳电池的伏安特性。其 曲线如图所示。 从式及其伏安特性曲线上,可以得出描 述太阳电池的四个输出参数 [1] ( 1 )短路电流 I sc ,是 V =0 时的输出电流。 在理想情况下,它等于光生电流 I ph ( 2 )开路电压 V oc 。令式中 I =0 ,则
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