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固态相变原理考试试题 一、(20 分) 1、试对固态相变的相变阻力进行分析 固态相变阻力包括界面能和应变能，这是由于发生相变时形成新界面，比容不同都需要消耗能量。 dF dni σ = σ + ∑ μ σ μ 界面能 ：是指形成单位面积的界面时，系统的赫姆霍茨自由能的变化值。与大小和化学键的数目、强度有关。dA i dA 为表面张力， i为 dni 偏摩尔自由能，dA为由于界面面积改变而引起的晶粒内部自由能变化 （1） 共格界面的化学键数目、强度没有发生大的变化，σ最小；半共格界面产生错配位错，化学键发生变化，σ次之；非共格界面化学键破坏最厉害，σ 最大。 （2 ） 应变能 ① 错配度引起的应变能（共格应变能）：共格界面由错配度引起的应变能最大，半共格界面次之，非共格界面最小。 2 2 c ② 比容差引起的应变能（体积应变能）：和新相的形状有关，E = 3MΔ f( a),球状由于比容差引起的应变能最大，针状次之，片状最小。 2、分析晶体缺陷对固态相变中新相形核的作用 固相中存在各种晶体缺陷，如空位、位错、层错、晶界等，如果在晶体缺陷处形核，随着核的形成，缺陷将消失，缺陷的能量将给出一供形核需 要，使临界形核功下降，故缺陷促进形核。 （1） 空位：过饱和空位聚集，崩塌形成位错，能量释放而促进形核，空位有利于扩散，有利于形核。 （2 ） 位错： ①形成新相，位错线消失，会释放能量，促进形核 ②位错线不消失，依附在界面上，变成半共格界面，减少应变能。 ③位错线附近溶质原子易偏聚，形成浓度起伏，利于形核。 ④位错是快速扩散的通道。 ⑤位错分解为不全位错和层错，有利于形核。 Aaromon 总结： 刃型位错比螺型位错更利于形核；较大柏氏矢量的位错更容易形核；位错可缠绕，割阶处形核；单独位错比亚晶界上位错易于形核；位错影响形核，易在 某些惯习面上形成。 （3 ）晶界：晶界上易形核，减小晶界面积，降低形核界面能 二、(20 分) 已知调幅分解浓度波动方程为： 2 2 2 4 8 ‒ 0 = ()cos ，其中：() =‒ [ + 22 + 2 ] 1 、试分析发生调幅分解的条件 2 2 2 只有当 R （λ ）＞0 ，振幅才能随时间的增长而增加，即发生调幅分解，要使R （λ ）＞0 ，得G”＜0 且| G”|＞2η Y+8π k/λ 2 2 2 2 令 R （λ ）=0 得 λc— 临界波长，则 λ ＜λc 时，偏聚团间距小，梯度项 8π k/λ 很大，R （λ ）＞0 ，不能发生；λ ＞λc 时，随着波长增加，8π k/λ 下降，易满足 2 2 2 | G”|＞2η Y+8π k/λ ，可忽略梯度项，调幅分解能发生。