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中国科学技术大学物理系微电子专业 第一章半导体物理基础 §1-1晶体结构和半导体材料 §1-2半导体能带结构 §1-3平衡载流子浓度 §1-4载流子输运现象 §1-5非平衡载流子 §1-6半导体的光学性质 Principle of Semiconductor Devices 20145-11  中国科学技术大学物理系微电子专业 §1-1晶体结构和半导体材料 晶格结构 密勒指数 载流子的概念 半导体器件基础 Principle of Semiconductor Devices 20145-11  中国科学技术大学物理系微电子专业 0010105104102 cranium e glass Nickel axide Diamond Gallium arsenide(GaAs) aluminum Gallium phosphide(GaP) e sulfur Cadmium sulfide(Cds) muth 1012101010510610+10-2110210410°10° Conductivity g(S/cn Semiconductor Conductor Principle of Semiconductor Devices  中国科誉故术大学物理微电子专虫 固体结构 Grain boundary rain 00OOao D 0 5。5。 Amorphous Polycrystalline Crystal Principle of Semiconductor Devices  中国科学技术大学物理系微电子专业 晶体结构 硅、锗等半导体都属于金刚石型结构。 ·ⅢI-V族化合物(如砷化镓等)大多是属于 闪锌矿型结构,与金刚石结构类似 晶格常数是晶体的重要参数。 ace=0.5658nmas=0.5431nm Principle of Semiconductor Devices 20145-11  中国科学技术大学物理系微电子专业 常用半导体材料的晶格结构 Two intervening fcc cells offset by 1/4 of the cubic diagonal from diamond structure and zincblende structure i Ge c. etc GaAs. AlAs. GaP, Zns etc Principle of Semiconductor Devices 20145-11  中国科学技术大学物理系微电子专业 倒格矢: 基本参数:a 冰1水冰 b×C b=2丌 d×b C=2T (a·a=2兀,a●b*=0,etc.) 应用:波矢k空间的布里渊区 Principle of Semiconductor Devices 20145-11  中国科学技术大学物理系微电子专业 晶体的各向异性 沿晶体的不同方向,晶体的机械、物理特性也 是不相同的,这种情况称为晶体的各向异性。用 密勒指数表示晶面。 密勒指数( Miller indices):表示晶面 1)确定某一平面在直角坐标系三个轴上的截点,并 以晶格常数为单位测出相应的截距; (2)取截距的倒数,然后约化为三个最小的整数,这 就是密勒指数 Principle of Semiconductor Devices 20145-11  中国科学技术大学物理系微电子专业 密勒指数 密勒指数[43] 1 Principle of Semiconductor Devices 20145-11  中国科学技术大学物理系微电子专业 密勒指数 .(hk): For a plane that intercepts the x-axis on the negative side of the origin. (100) hk!: For planes of equivalent symmetry (100)(010(001)(100(010)(001) [k]: For a crystal direction hkl: For a full set of equivalent directions [00][010][o01][100[o1oJo01[100] Principle of Semiconductor Devices 20145-11