MOSFET地击穿电压[参考].pdfVIP

实用标准文案 MOSFET的击穿电压 DS 漏源极击穿电压 BV DS D 当漏源极电压 V 超过一定限度时，漏源极电流 I 将迅速上升，如图 a， CD段所示。这 种现象称为漏源击穿，使 I D迅速上升的漏源电压称为漏源击穿电压，极为 BVDS。在 MOSFET 中产生漏源击穿的机理有两种：一是 PN结的雪崩击穿，二是漏源两区的穿通。 DS DS 当源极与衬底相连时，漏源电压 V 对漏 PN 结是反向电压。当 V 增加到一定程度时漏 PN 结就会发生雪崩击穿。雪崩击穿电压的大小由衬底掺杂浓度和结深决定。但是在结深为 1~3um的典型 MOSFET中，漏源击穿电压