单片机技术 5.2程序存储器扩展 5.2程序存储器扩展.pptVIP

国家开放大学 / * * 三态输出的目的：物理上连接而逻辑上不连接 CE：片选信号线；OE：允许输出线（它是27256的输入线），当OE=0时，则允许从27256读出的数据直接送到数据总线D7~D0上，否则为高阻状态。 * * （其中：常数是外ROM（A+DPTR）单元的内容）该指令是双字节单周期 * 讲课时详述部分可跳过 * 说明：OE1和OE2均与PSEN接通，地址线也是类似 * * 注意：8051寻址能力在64K，所以只能是32K*2、8K*8，即32K的存储器2片（不能超过2片） * * 又称为部分译码，即P2.0-2.7没有全部参与译码，如图中P2.5-2.7均为悬空。会导致地址重叠 5.2程序存储器ROM的扩展 1，单片机的P0、P2口作为外电路的数据、地址总线： 　　　 P0口做为低8位地址和数据复用总线； 　　　 P2口做为高8位地址总线。 2，单片机的/PSEN 作为数据选通信号与外ROM的数据输出三 态控制/OE端连接； ( PSEN(引脚29)----外部程序存储器的读选通信号。当访问外部ROM时,PSEN产生负脉冲作为外部ROM的选通信号) 3，使用一个8位的数据锁存器来锁定低八位地址信号，使用单片机的ALE信号作锁存器的锁存控制。 (ALE(引脚30)——ALE为地址锁存允许信号。 在访问外部存储器时，ALE用来锁存PO口送出的低8位地址信号。) 87-* 5.2.1 常用程序存储器芯片 单片机外部扩展常用程序存储器芯片为EPROM，其掉电后信息不会丢失，且只有在紫外线的照射下，存储器的单元信息才可擦除。 用作扩展的EPROM主要是27系列，如2716、2732、2764、27128、27256等，其中高位数字27表示该芯片是EPROM，低位数字表明存储容量，如2716表示16K个存储位，亦即字节容量为2K的EPROM。 常用的还有EEPROM ，即28系列，如2816/2817、2864等，型号含义同上。 87-* 1．EPROM存储器 一般用EPROM进行程序存储器扩展。MCS-51的程序存储器空间最大为64K，扩展时可选用的EPROM芯片有 2764 （8K × 8=64K） 27128 （16K × 8=128K） 27256 （32K × 8=256K） 27512 （64K × 8=512K） 87-* 图5-2 27256引脚图 A0 – A14：地址输入，32KB存储空间需要使用这15条地址线。 Q0 – Q7：数据总线，8位宽度， Q7为高位。 /OE（/G）：输出允许，低电平有效。 /CE（/CS/E）：片选信号，低电平有 效。 VPP ：编程电源输入端，根据说明编程时 多数接+12V。平时使用时接5V。 VCC： +5V电源 GND： 地线。 其他型号的EPROM，主要区别是地址线条数不同 87-* 图5-5 常见EPROM芯片引脚 87-* 2. EEPROM EE PROM即可像EPROM保存信息，又可像RAM那样随时用电改写 目前常用于扩展的是28系列，如2816/17、2864等。 它们有如下共同的特点： （1）单+5 V供电，电可擦除可改写。 （2）使用次数为1万次，信息保存时间10年。 （3）读出时间为ns级，写入时间为ms级。 （4）芯片引脚信号与相应RAM（6XXX）和EPROM（27XXX）芯片兼容。 （5）EEPROM不用紫外线擦除，在单一+5 V电压下写入的新数据覆盖了旧的数据。 87-* 3. Flash存储器 Flash其主要性能特点为： （1）高速芯片整体擦除。Flash为电擦除，在同一系统或同一编程器的插座上即可完成擦除。 （2）高速编程、高速的存储访问。 （3）可重复擦写/编程10000次。 （4）Flash内部集成有DC/DC变换器，使读、擦除、编程使用单一电压。 （5）低功耗、集成度高、价格低、可靠性高，优于普通EEPROM。 有的厂家将MCU、DMA及数兆字节的Flash集成在一片小卡上，称为“Compact Flash card”，简称CF卡。其扩展方法同EEPROM。 87-* 5.2.2 程序存储器扩展实例 【例1】 8051扩展一片2764 EPROM(8KB)。 2764EPROM是8KB单元的程序存储器。2n=8192=8×1024=213=8 KB，n =13，即单片机访问片外8KB的存储单元需要13根地址线，即A0～A12。 P2口的P2.0～P2.4与EPROM的高5位地址线A8～A12连接； P0口P0.0～P0.7经地址锁存器输出的地址线与EPROM的低8位地址线A0～A7相连，同时P0口又与EPROM的数据线Q0～Q7相连； 程序存储器与数据存