分子束外延技术原理其制备先进材料研究进展.pptVIP

亚业了量学 分子束外延技术(MBE)的原理及 其制备先进材料的研究进展 学号: XXXXXXXXXX 姓名:XX  主要内容 ●MBE原理 ●MBE前沿介绍 ④形业x米大学  MBE原理一定义 ●分子束外延 Molecular Beam Epitaxy,简称 MBE):它是在超高真空的条件下,把一定比 例的构成晶体的各个组分和掺杂原子(分子) 以一定的热运动速度喷射到热的衬底表面来 进行晶体外延生长的技术。 注:超高真空( Ultrahigh Vacuum指的是真空压 力至少低于133X108Pa。 外延生长:在一个晶体表面上生长晶体薄膜, 并且得到的薄膜和衬底具有相同的晶体结构和 取向 ④形业x米大学  MBE原理一历史 1968年,美国Be实验室的 Arthur首先进行了Ga 和As在GaAs表面的反应动力学研究,奠定了 MBE的理论基础。 1969-1972年间,Be实验室的AY.Cho进行了 MBE的开创性研究,用MBE生长出了高质量的 GaAs薄膜单晶及n型、p型掺杂,制备出了多种 半导体器件,而且生长出第一个GaAs/ AIgaAs 超晶格材料,从而引起了人们的关注。 1979年TW. Tsang将MBE法制备的GaAs/ AlGaAs DH激光器的阈值电流密度降到1KA/cm2以下 使其能在室温下工作,达到了LPE水平 ④形业x米大学  MBE原理一系统 目前最典型的MBE设备是由进样室、预处理和表 面分析室、外延生长室三个部分串连构成。 M600 ④形业x米大学  MBE原理一系统 进样室(装样、取样、对衬底进行低温除气):进样 室用于换取样品,可同时放入多个衬底片。 ●预处理和表面分析室:可对衬底片进行除气处理,通 常在这个真空室配置AES、XPS、UPS等分析仪器 ●外延生长室:是MBE系统中最重要的一个真空工作室, 配置有分子東源、样品架、电离记、高能电子衍射仪 和四极质谱仪等部件。 ④形业x米大学  MBE原理一系统 衬底夹和加热器 质仪 荧光屏 三电子枪 过程程序 高了溅射枪控制装置 饿歇分析仪 束源炉 间门控制 液氮 加热器控制 超高真芏泵 MBE系统略图 ④形业x米大学  MBE原理一系统 反射高能电子衍射仪 ( Reflection High-Energe 是十分重要的设备。高能电子(器器图021 Electron Diffraction, RHEED) (a)经日=0 了以本3)hV 在荧光屏上产生的衍射条纹可 以直接反映薄膜的结晶性和表 面形貌,衍射强度随表面的粗 糙度发生变化,振荡反映了薄 ) 膜的层状外延生长和外延生长 的单胞层数。 ④形业x米大学  MBE原理一生长的动力学过程 1.入射的原子或分子在 定温度衬底表面进 行物理或化学吸附。 反应及晶化过区村座加热块 ●2吸附分子在表面的迁 对千束 移和分解。 分子来产生区 3组分原子与衬底或外 P型腰 延层晶格点阵的结合 或在衬底表面成核。下m 4.未与衬底结合的原子 或分子的热脱附。 MBE生长过程的三个基本区域 ④形业x米大学  MBE原理一特点总结 生长速率低,大约1μm/h,相当于每秒生长一个单原子 层,因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成 陡峭异质结等,特别适于生长超晶格材料和外延薄膜材 料。但是,极低的生长速率也限制了MBE的生产效率, 同时考虑到昂贵的设备,使其无法进行大规模生产 衬底温度较低,因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失 配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。 受衬底材料的影响较大,要求外延材料与衬底材料的晶 格结构和原子间距相互匹配,晶格失配率要≤7%。 ●能独立控制各蒸发源的蒸发和喷射速度,从而能制备合 金薄膜 ④形业x米大学