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化学气相沉积法制作梯度折射率光学材料的
详细介绍
主讲人:陈庆德
专业:09光信息科学与技术
指导老师:石市委
化学沉积法
定义化学气相沉积( Chemical vapor deposition,简称cVD)是反
应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态
基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的
气态传质过程。与之相对的是物理气相沉积(PVD)。
微制程大都使用cVD技术来沉积不同形式的材料,包括单晶、多晶、
非晶及磊晶材料。这些材料有硅、碳纤维、碳纳米纤维、纳米线、纳
米碳管、SiO2、硅锗、钨、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各种不同的
high-k介质等材料。cVD制程也常用来生成合成钻石。
化学气相沉积的种类
■一些cVD技术被广泛地使用及在文献中被提起。这些技术有不同的起
始化学反应机制(如活化机制)及不同的制程条件
以反应时的压力分类
以气相的特性分类
■等离子技术(可参考等离子制程)
■原子层化学气相气相沉积( Atomic layer CVD, ALCVD)
■热丝化学气相沉积( Hot wire CVD, HWCVD)
有机金属化学气相沉积
混合物理化学气相沉积
■快速热化学气相沉积
■气相外延 apor phase epitaxy,VPE
化学气相沉积的种类—以反应时的压力分类
常压化学气相沉积( Atmospheric Pressure CVD, APCVD):在常
压环境下的cvD制程
■低压化学气相沉积( Low-pressure CVD, LPCVD):在低压环境下
的cVD制程。降低压力可以减少不必要的气相反应,以增加晶圆上薄
膜的一致性。大部份现今的CVD制程都是使用 LPCVD或 UHVCVD。
■超高真空化学气相沉积 Ultrahigh vacuum CVD, UHVCVD:在非
常低压环境下的CVD制程。大多低于10-6Pa(约为10-8tor注
在其他领域,高真空和超高真空大都是指同样的真空度,约10-7Pa。
化学气相沉积的种类—以气相的特性分类
■气溶胶辅助气相沉积( Aerosol assisted cvd, AACVD):使用液体
/气体的气溶胶的前驱物成长在基底上,成长速非常快。此种技术适
合使用非挥发的前驱物。
■直接液体注入化学气相沉积( Direct liquid injection CVD
DLICVD):使用液体(液体或回体溶解在合适的溶液中)形式的前驱
物。液相溶液被注入到蒸发腔里变成注λ物。接着前驱物经由传统的
CvD技术沉积在基底上。此技术适合使用液体或固体的前驱物。此技
术可达到很多的成长速率
化学气相沉积的种类—等离子技术
■微波等离子辅助化学气相沉积( Microwave plasma- assisted cVd,
MPCVD)
等离子增强化学气相沉积( Plasma- Enhanced cvd, PECVD):利
用等离子增加前驱物的反应速率。 PECVD技术允许在低温的环境下
成长,这是半导体制造中广泛使用 PECVD的最重要原因。
■远距等离子增强化学气相沉积( Remote plasma- enhanced CVD
RPECVD):和 PECVD技术很相近的技术。但晶囡不直接放在等离子
放电的区憾,反而放在距离等离子远一点的地方。晶囡远离等离子区
可以让制程温度降到室温。
化学气相沉积的特点
■1)在中温或高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形
成固体物质沉积在基体上。
2)可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层
质量较好)。
3)釆用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应,使沉积可在
较低的温度下进行。
4)涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化,从而获得梯度沉积
物或者得到混合镀层
■5)可以控制涂层的密度和涂层纯度
■6)绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆
各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好,所以可涂覆带有槽、沟、
孔,甚至是盲孔的工件
刀沉积层通常具有柱状晶体结构,不耐穹曲,但可通过各种技术对化
学反应进行气相扰动,以改善其结构。
8)可以通过各种反应形成多种金属、台金、陶瓷和化合物涂层
化学气相沉积的应用
■现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料,这些功能
材料必须是高纯的,或者是在高纯材料中有意地掺人某种杂质形成的
摻杂材料。但是,我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶
液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求,也难以保证得到高纯度的
产品。因比,无机新材料的合成就成
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