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光刻工艺步骤介绍 综述 一光刻工艺流程介绍 1 涂胶工艺介绍 2 曝光工艺介绍 3 显影工艺介绍 4 显检图形介绍 5 条宽套刻测量 二在线流片相关知识介绍 光刻工艺流程 涂胶 曝光 显影 套刻测量 条宽测量 送刻蚀 送注入 显检 N-Well PR Coating N-Si Si(P) Si3N4 SiO2 PR 光刻工艺步骤实例-N-WELL层次涂胶 N-Well Exposure N-Si Si(P) Si3N4 SiO2 PR 光刻工艺步骤实例-N-WELL层曝光 N-Well Developing N-Si Si(P) Si3N4 SiO2 PR 光刻工艺步骤实例-N-WELL层次显影 N-Well Etching N-Si Si(P) Si3N4 SiO2 PR 光刻工艺步骤实例-N-WELL的形成 涂胶工艺介绍 具体过程： 1）增粘处理 2）涂胶 3）涂胶后烘 涂胶工艺流程 圆片从片架中取出（机械手臂） 增粘处理（HMDS） 涂胶动作 涂胶后烘 Soft-bake 圆片送回片架涂胶工艺完成 增粘处理（化学气相涂布） 1 化学品： HMDS液（六甲基二硅亚胺） 2.目的： 由于圆片表面是亲水的，而光刻胶具有疏水性如果不进行增粘处理直接涂胶并后烘，就会有水存在于圆片和胶分界处，导致光刻胶在圆片表面的粘附性变差。增粘处理可以增加圆片表面对光刻胶的粘附性，对保持光刻图形完整性，稳定性以及光刻胶对刻蚀和注入工艺的屏蔽都有很重要的作用。 3.过程 高温气化后的HMDS与圆片同处一腔经过一段时间作用完成。 涂胶 化学品 光刻胶 由具有感光性高分子聚合物、增粘剂、溶剂以及其它添加剂组成。 稀释剂（EBR-10A） 喷胶方式 动态 喷胶时圆片旋转，胶膜均匀性较好但粘附性稍差。 静态 喷胶时圆片静止，胶膜粘附性较好但均匀性稍差。 涂胶前旋转 圆片 吸盘 旋转涂胶 圆片 吸盘 滴胶 加速旋转匀胶 圆片 吸盘 胶层 旋转去边 圆片 吸盘 胶层 去边（EBR）喷管 圆片 吸盘 胶层 去边（EBR）喷管 加速旋转 圆片 吸盘 胶层 A 图 正面去边，胶的边缘比较规则。 B图背面去边，胶的边缘呈锯齿状。 涂胶 涂胶后烘 目的： 提高光刻胶与衬底（圆片）的粘附力及胶膜的抗机械磨擦能力。 作用： 充分的前烘可以改善胶膜的粘附性与抗刻蚀性。 方式： 烘箱对流加热 红外线辐射加热 热板传导加热 影响胶膜因素： 一 涂胶腔排风量的大小直接影响着胶膜的均匀性； 二 硅片吸盘的水平度、同心度以及真空度都会影响胶膜的均匀性； 三 胶盘的形状应能有效的防止光刻胶在高速旋转时出现的“回溅”； 四 涂胶的工作环境，如湿度、温度、洁净度等均会影响胶膜的质量。 曝光工艺介绍 光源（平行入射） 光刻版 圆片 基本原理：光刻工艺中最关键的工序它直接关系到光刻分辨率、留膜率、条宽控 制等。将涂好光刻胶的圆片通过光刻机的对位系统和光刻版套准后，用紫外光进行照射，照射过的光刻胶发生光化学反应，性质发生了变化，显影时就会和显影液发生化学反应并去除；而被光刻版挡住的部分，未发生任何变化，显影时不和显影液发生反应被保留在圆片上,这样光刻版的图形就转移到圆片表面，通过刻蚀工序就能将图形留在圆片上。 曝光工艺介绍 圆片从片架中取出 预对位（找平边） 圆片由机械手臂传输到载片台（Stage）上 自动对位 圆片曝光 机械手臂传输到片架中曝光工艺完成 曝光工艺流程 曝光方式： 目前西岳光刻间光刻机只有一种曝光方式，步进重复式投影曝光光刻机，即BLOCK通过快门的开关逐步进行曝光，显影后圆片图形是光刻版图形的1/5。 曝光光源： 光刻胶主要对紫外光光源感光，常用的紫外光光源是高压汞灯。其中对光刻胶感光起主要作用是波长为435.8nm（g线）、 365nm（i线）、248nm（DUV远紫外线）等光谱线。我们所用的NIKON光刻机分为G线和I线，就是由此而来，它们都是一种波长的单色光；高精度光刻图形与曝光光源有着直接的关系。 曝光量 曝光的目的是用尽可能短的时间使光刻胶充分感光，并在显影后获得尽可能高的留膜率、近似于垂直的光刻胶侧壁和可控的条宽。曝光量是指使光刻胶充分感光的能量，通常用E来表示。实际中，显影后是无法获得完全垂直的光刻胶侧壁的 。一般来说，侧壁形状呈一个梯形。 曝光工艺介绍 预对位对位： 预对位