光刻技术和发展前景讲解.pptVIP

Photolithography  为什么要“重点”研究光刻? SIlicon Technology Intel Execution On-Time 2 Year Cycle 2 2 半导体工艺的不断进步由光刻工艺决定  为什么要“重点”研究光刻? Trends in Microlithography Contacr Non- Chemicall amplified Resists Printe Relined 436m Rubber 365nm Chermically amplified Resists DNONevolac 248nn PAOPHS 793nm dry Wet R a PACacnlic resin EUT NA 13.5 PAG/PHS+ Y指r 业界之前所预测的光刻技术发展路线图  光刻概述 Photolithography 临时性地涂覆光刻胶到硅片上 转移设计图形到光刻胶上 IC制造中最重要的工艺 占用t050%芯片制造时间 决定着芯片的征尺  光刻技术的原理 光刻的基本原理 是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学 反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被 加工表面上。 Light source 光源 Mask 掩膜 Lens to reduce image 縮图透镜 Die being exposed on wafer 即将曝光的晶圆  光刻工序 Process,Clean Surface PR coating→ Soft bake preparation Alignment Hard bake Development PEB Exposure Track system Photo cell Photo bay Appr Etch ↓,1mn Implant  1、清洗硅片 Wafer clean Gate Oxi 去除污染物 去除颗粒 减少针孔和其它缺 陷 Polysilicon 提高光刻胶黏附性 STI USG 基本步骤 化学清洗 P-Well 漂洗 烘干  清洗硅片 Wafer clean 值留 IIHa 1 HWv 60nA0 Chemical Clean 化学清洗 漂洗 烘干  2、预烘和底胶涂覆Pre- bake and Primer vapor Pr rimer 预烘: 脱水烘焙 去除圆片表面的潮气 Polysilicon 增强光刻胶与表面的黏附性 STI USG 通常大约100°C P- Well 与底胶涂覆合并进行 底胶涂覆 增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性 广泛使用:(HMDs六甲基二硅胺 在PR旋转涂覆前HMDs蒸气涂覆 PR涂覆前用冷却板冷却圆片  预烘和底胶蒸气涂覆 Prep Chamber Primer Layer Wafer Wafe HMDS aDor Hot plate Hot plate Dehydration bake Primer Vapor Coating