1-3-电力电子器件的发展与创新.pdf

电力电子器件的发展与创新电力电子器件的发展与创新 ◆◆模块集成模块集成 ◆新型电力电子器件的出现(MCT、SIT、SITH、IGCT等) ◆◆新材料的蓬勃发展新材料的蓬勃发展 ◆技术创新 （（一））模块集成模块集成 ◆◆功率模块功率模块封装集成封装集成。 ☞可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 ☞对工作频率高的电路对工作频率高的电路，可大大减小线路电感可大大减小线路电感，从而简化从而简化 对保护和缓冲电路的要求。 ☞解决绝缘解决绝缘、温升和散热问题温升和散热问题。 ◆功率集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）器 件件与逻辑辑、控制、保保护、传感感、检检测、 自自诊断等信息等信息电子电 路制作在同一芯片上。 ◆智能功率模块IPM （（二二））新型电力电子器件新型电力电子器件 ◆ MOS控制晶闸管MCT ☞结合了MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关 过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点。 ☞电压电流未达到期望容量。 ◆◆静电感应晶体管静电感应晶体管SITSIT ☞是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当， 甚甚至超超过电力电力MOSFET，而而功率容量功率容量也比电力电力MOSFET大大， 因而适用于高频大功率场合。 ☞正常导通型器件，使用不太方便，此外SIT通态电阻较大。 ◆静电感应晶闸管SITH ☞☞可以看作是可以看作是SITSIT与与GTOGTO复合而成复合而成。 又被称为又被称为场控晶闸管场控晶闸管 （Field Controlled Thyristor——FCT），本质上是两种载 流子导电的流子导电的双极型双极型器件器件，具有电导调制效应具有电导调制效应，通态压降低通态压降低、 通流能力强。 ☞☞关断电流增益小关断电流增益小。 ◆集成门极换流晶闸管IGCT ☞是将是将一个平板型的个平板型的GTOGTO与由很多个并联的电力与由很多个并联的电力MOSFETMOSFET 器件和其它辅助元件组成的GTO 门极驱动电路采用精心设 计的互联结构和封装工艺集成在计的互联结构和封装工艺集成在一起起。 ☞容量与普通GTO相当，但开关速度比普通的GTO快10倍。 （（三三））新材料的蓬勃发展新材料的蓬勃发展 ◆指宽禁带半导体材料—关注临界雪崩击穿电场强度、载 流子饱和漂移速度、热导率和载流子迁移率。 ◆硅的禁带宽度为1.12电子伏特（eV），而宽禁带半导体 材料是指禁带宽度在3.0 电子伏特左右及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅（SiC ）、氮化镓（GaN）、金刚石等材 料。 ◆基于宽禁带半导体材料（如碳化硅）的电力电子器件将 具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力、低得多的通态 电阻、更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和 射线辐射的能力射线辐射的能力，许多方面的性能都是成数量级的提高许多方面的性能都是成数量级的提高。 ◆ SiC—POWER MOSFET的优点 1.实用的SiC管和module 2.低引线低引线电感 3.温度范围宽 44.超低导通电阻超低导通电阻 5.有最小的反向恢复时间 ◆◆ 实际应用的器件实际应用的器件 SBD、POWER MOSFET、IGBT等 （（四四））技术创新技术创新 ◆ “超级结” ☞高压电力MOSFET通态电阻90%来自于低掺杂N区，保持高耐 压能力同时减小低掺杂N区的通态电阻的技术。 ◆沟槽技术 ☞主要针对低压电力MOSFET。 ☞门极垂直深入低掺杂N区，提高集成度、减小总的沟道电阻 和极间电容，减小通态电阻，减小开关损耗。 ◆穿通型IGBT--非穿通型IGBT ☞穿通型穿通型IGBTIGBT以数百微米后以数百微米后PP+单晶为衬底单晶为衬底，，外延外延NN+缓冲层缓冲层 和N-耐压层，器件导通压降和关断损耗折衷通过缓冲层结构 优化和全局载流子寿寿命控制实现实现。载流子低寿低寿命造成导通压 降的负温度系数，高温稳定性差。 ☞非穿通型IGBT 以点掺杂N区为衬底，借助透明集电区技术， 不需要载流子寿命控制就能实现快速关断，通态压降具有正 温度系数。 ◆场终止技术 ☞在衬底区和集电区间加入附加层，不再以衬底厚度来衡量 电场强度，改善传统一种衬底的掺杂浓度均匀分布形式。增 加附加层，即场中止层，在本层电场强度降为0。衬底层可做 的很薄的很薄。 本节要点 1.集成模块使用中有很大的优势集成模块使用中有很大的优势。 2.新