无尘室的微量气悬污染物之.pptVIP

無塵室微量氣懸污染物(AMC)之 污染行為 何謂AMC? ■環境中有能力沈降於表面上形成單分子層( monolayer)薄膜 之氣態化學污染物質。 !AMC的污染濃度並未與目前的潔浄室等級形成直接關係,已 有文獻報告指出 class1的有機氣態污染物之濃度可能比 cass10還大 Kitajima and shiramizu1997]° ■曾有硏究指出在等級為 class100潔浄室內總有機氣態污染 物濃度約10σμg/m3,而粒狀污染物濃度在的潔浄室約為20 ng/m3。故潔浄室內氣態分子污染物沈積於晶圓表面的速率 ( surface arrival rate)可能為微粒的數個階級以上 AMC背景與現況 口隨著半導體元件的加工線寬由0.25μm逐漸進入 0.18μm甚至到0.13μm以下’製程環境中微麈粒 子或空降分子狀污染物( airborne molecular contamination,AMC)對產品良率影響也就更加 顯著 口懸浮粒狀污染物(0.5m)重要性相對降低:HPA 99.97%(0.3/m),ULPA99.99%(0.12m) Examples of T-topping (a) uncontaminated se,ok,cbo straight sidewall 481z6 :438994293 (b) low-level airborne contaminated- slight tilt on the top of profile M3因E了日爬 4310, ekv 5e.0KGeonm SEM cross section of resist- coated wafer exposed to a 24-ppb concentration of amines for ll minutes .9 Severely T-topped Apex E test wafer at ambient levels of only an 8-10 ppb concentration of amines AMRAT AMC之分類 酸性物質( Acids) 鹼性物質( Bases) ChE AN MINE H PO4 NMP Not Classified HMDS H,O 凝縮性物質 IPA Acetone 掺雜物質 (andosahloay (C (Dopants) DOP DBP DEP B,H BF3 asH3 Siloxanes bht TCEP TEP TPP SEMI Standard F21-95, 1996 AMC之污染來源 機台材質 晶圓儲存盒 作業人員 無麈衣、手套 製程使用化學原料(RCA清洗溶液 光阻劑丶顯影劑、去光阻劑等) 潔浄室內之建築結構材質與塗 料丶接縫密封劑 AMC之污染來源 口空調糸統之外氣補氣(周界環境)或使用不適當 的濾網’造成濾網材質釋氣( outgas)。 口SMIF/FoUP/Mini- environment之材質釋氣。 口管路老舊或人員疏失之意外洩露° h Banook bl esut 有機性污染物(工) 口環境中較高濃度的有機性氣體(甲笨丶、二甲笨丶乙 酸正丁酯丶長鏈式脂肪族碳氫化物如癸烷( decane) 與寅烷( tridecane)’未必會沈積於晶圓表面上造 成缺陷或污染’反而在環境中極為微量的物質(如 塑化劑或 amines丶 esters等),其具有較高之吸附 能力’故其沈積速率遠大於其他有機性氣體 口主要吸附在晶圓表面上的物質為具有低蒸汽壓、高 沸點之高分子量物質如苯二甲酸二辛酯(DOP)丶鄰 苯二甲酸二丁酯(DB門)等與其他酯類丶環狀矽化 合物等 Tamaki et al. (1995) 有機性污染物() 口製程機台內所使用之風機濾網機組(FU的內部材 質釋氣’其成分含有有機矽化合物與添加劑 晶圓儲存盒或晶舟材質之塑化劑丶抗氧化劑與黏 著劑等添加劑。 口晶圓儲存盒內充氮氟隔離在潔淨室外或使用化學 過濾器去除有機物時’可有效地把晶圓表面有機 污染量降低50%-75%以上。 Satio (199 材質 Outgassing調查 口掌握各種結構物質之有機逸散情形’就能進一 步追縱污染來源與污染濃度形成速率 口故材質釋氣(ω outgassing)調查已成為潔淨室內 的微污染控制主要方法之一° 口目前已有許多學者針對不同廠牌之晶舟與晶圓 儲存盒丶潔淨室內不同結構物質有機物之逸散 情形調查。 口建立各潔淨室內之base-line,在有突發或異常 之濃度岀現時’即可馬上判斷污染物與污染來 源