射频功放仿真基本方法.docxVIP

功率器件仿真基本方法 对于微波大功率有源器件来说，其输入输出阻抗是一个关键的参数，且不易测量。而在设 计中，没有这些参数，设计将无从下手。目前微波大功率的有源器件大多采用金属氧化物半导 体场效应晶体管 (LDMOSFET-Lateral Diffused metallic oxide semiconductor field effect transistor)，因此本文以LDMOS1率管的仿真为例探讨微波有源器件仿真。 由于大家所公认的大功率器件仿真的难度， 特别是在器件模型建立方面的难度， 使得这一 工作较其他电路如小信号电路仿真做的晚，且精度也较小信号电路低。目前公司内部在这方面 所作的工作也相对较少。 随着技术的发展，目前的很多仿真软件已经做的很完善，如 ADS它可以提供各种数字和 模拟系统及电路的仿真平台，用户的主要任务就是给目标器件建模和搭建电路。而目前我们使 用的主流LDMO麝件即Motorola的大部分器件均提供 AD航真的模型，我们只要直接使用，这 给我们的仿真工作带来了极大的方便，极大的减小了工作量，并提高了准确度。 本文主要探讨使用 ADS2002仿真计算大功率LDMO瑞件的工作点、输入输出阻抗及其对应 的线性指标、电流、增益等电参数。 1 LDMO雾件模型 首先我们了解一下 Motorola的LDMO麝件库的情况。图1.1是其在原理图中的符号 MRF.MELMODELMRF3MODEL=MRF183TSNK=25RTM=-1CTH MRF.MELMODEL MRF3 MODEL=MRF183 TSNK=25 RTM=-1 CTH 二-1 MRFJIET?PPJODEIL MRF4 MODEL二 MRF185 TSNK = 25 Rffl 二-1 CTH=-1 图 1.1 Motorola LDMOS G — MRF^ROOT MODEL MRF5 MODEL二 MRF183 器件模型 5卜 MRF_ROOT_PP_MODEL MRF6 MODEL=MRF185 它的器件分为两类：单管(MRF_MET_MODEL MRF_ROOT_MOD稣管(MRF_MET_PP_MODEL MRF_ROOT_PP_MODE以上面的名称我们可以看出，每一个管子有两个模型，即 MET模型和 ROOT?。 MET LDMOSI型(Moto Electro Thermal Model) 是一个经验大信号模型，它可以精确的描 述在任意的偏置点和环境温度下的电流电压特性。 其大信号和小信号模型分别如图 1.2和图1.3 所示［1］。 ROOT莫型是一种基于 HP Root FET Model generator 产生的数据库模型，该模型生成 器根据小信号的S参数和测量得到的直流数据生成大信号模型。 ROO做型给出的器件特性是偏 置点、频率和功率电平的函数。该模型适用于已经有测量数据但是物理的或经验的模型还没有 建立的器件的仿真⑵。 + Vrg - GdgGate + Vrg - Gdg Gate C 9——MA— 臾 V + 人 + Vgd - 如。 /Y ［虹 f(Vds,Vgs.T) - J 3 ld\|)吐 I(liode_f=f(Vdsj ldiodt_r=f(Vdio(le_rI) Qds=f(VdsJj 溢购』} J孔 Qgd=f(VgdJ) - $ Ithcnn=f(VdSjVgSjVgdtVrgJVrdfVrs,VdiDdc_r) Rk Rd 卫g. Rdiodo 二 f(T} J Source + Vrd - -AV\r^° Drain Rd c-od odw 3 R Qe 0 Rd MA~o Drain Forward Bins (VdsXL = Vgs * Gm/ exp(-.j01TAU) Reverse Blias (Vil\=0. Gm| =l)} = Vgd * Gmi * exp(-JoTAU) 图1.3小信号等效电路MET LDMOS莫型 根据上面对 Motorola LDMOS器件库的认识，在下面的讨论中，我们首先选用目前使用比 较多的中等功率管 MRF9045勺MET模型。下面我们按照设计的一般步骤，对 MRF904础行仿真、 设计。 2直流工作点仿真 直流偏置仿真电路如图 2.1所示，该电路使用了 ADS内置的场效应管的直流仿真模块 FET Curve Tracer，使得该电路十分的简洁明了。 该电路仿真常温（25 C）下漏级电流随栅源电压 VGS 和漏源电压 VDS的变化情况。图中， Motorola LDMO蕾有三个参数:TSNK-Heat Sink Temp, RTH -Thermal Resistance coeff., CTH -Thermal Capacita