中等职业学校《电子技术基础》教案.docxVIP

中等职业学校《电子技术基础》教案.docx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
PAGE PAGE # PAGE PAGE # 第1、2课时 课题 半导体特性、PN结、二极管 |课型 | 教学 目的 了解半导体的特性和PN结的形成与特性 掌握二极管、稳压管的特性 重点 难点 PN结的形成与特性 二极管的伏安特性 教学过程 一、 半导体的导电特性 1、 光敏性、热敏性、可掺杂性 2、 本征半导体:纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N型半导体 结构形成方式:掺入五价杂质元素使载流子数目增多,自由电子是多子 4、 P型半导体 结构形成方式:掺入二价杂质元素使载流子数目增多,空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、 形成过程 2、 特性:单向导电性 三、 二极管 1、 结构、外形、分类: (1)按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 )按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。 (3 )按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 )按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。 (5) 按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。 2、 主要参数 3、 判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、 二极管的伏安特性。 5、 特殊功能二极管:稳压管、发光二极管 课后 小结 半导体有自由电子和空八两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性 普通二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似,均由 PN结构成。但稳压二极管 工作在反向击穿区 第 第 3、4 课时 PAGE PAGE # 第 第 3、4 课时 PAGE PAGE # 课题 半导体三极管 课型 教学 目的 1、了解三极管的结构与特性; 2、掌握三极管的类型和电流放大原理; 3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点 难点 三极管的电流放大原理 三极管的输入输出特性 三极管的基本结构和类型教学过程 三极管的基本结构和类型 E2. 1. 1 三极昔结构示意国和表示符W 二、 三极管在电路中的联接方式 三、 三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置 ,集电结反向偏置。 1 )发射区向基区发射电子的过程 2 )电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3)电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性: iB=f(UBE) UCE 常数 2、输出特性: ic=f(UCE) iB 常数 课后小结 课后 小结 第 第 5、6 课时 PAGE PAGE # 第 第 5、6 课时 PAGE PAGE # 课题 教学 目的 重点 难点 课型 共发射极放大电路 1、 了解电路的结构组成 2、 用图解法分析静态工作点和动态波形 1、 电流放大原理 2、 特性曲线 教学过程 三、三极管的基本结构和类型 1、 2、在电路中的联接方式 四、极管的电流放大作用及原理 五、特性曲线和主要参数 输入特性 I E=I c+Ib 1、 Ic I 2、 输出特性 lE=f(U BE)|UCE:常数 |c=f(U CE 常数 3、 主要参数 直 A /V 课后 小结 了解共发射极放大电路的结构组成,及原理。熟练进行图解法分析放 大器的静态工作点和动态波形。 第 第 7、8 课时 PAGE PAGE # 第 第 7、8 课时 PAGE PAGE # 课题 1 共发射极放大电路的动态分析 课型 教学1 了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数。 目的 重点 微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数 难点 微变等效电路的画法 教学过程 、三极管的微变等效电路: 、放大器的微变等效电路:、交流动态参数的计算:1、电压放大倍数Au 、放大器的微变等效电路: 、交流动态参数的计算:1、电压放大倍数 Au =U-0 2.输入输出电 Ui 课后 掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。 小结 PAGE PAGE # 第 第 11、12 课时 PAGE PAGE # 第9、10 课时 课题 放大器的偏置电路 课型 教学 了解放大器静态工作点变化对放大器性能的影响; 掌握放大器偏置电 目的 路的分析计算。 重点 放大器静态工作点变化对放大器性能的影响 难点 放大器偏置电路的分析计算 教学过程 一、 静态工作点不稳定的原因 静态工作点不稳定的原因较多,如温度变化、电源波动、元件老化而使参 数发生变化等,其中最重要的原因是温度变化的影响。 1、 温度变化时对I CEO的影响 一般情况,温度每升高12 C,锗管Iceo数值增大一倍;温度每升高8 C时, 硅管的I CEC数值增大一倍。 2、 温度变化对发射结电压UBE影响 在电源电压不变的情况下,温度

文档评论(0)

cooldemon0602 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档