场效应管作原理和应用.pptVIP

第3章场效应管 3.1MOS场效应管 32结型场效应管 3.3场效管应用原理 概述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。 体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造 大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管分类: MOS场效应管 结型场效应管 场效应管与三极管主要区别: 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。 3.1MOS场效应管 增强型(EMOS) N沟道(NMOS) MOSFET P沟道(PMOS) N沟道(NMoS) 耗尽型(DMOS) P沟道(PMOS) N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似, 不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同,因此 导致加在各极上的电压极性相反。 3.11增强型MOS场效应管 N沟道 EMOSFET结构示意图 源极 金属栅极 底极 漏极 电路符号 沟道 宽度 D Sio2 绝缘层 G P型硅 P 衬底 沟道长度 口N沟道EMOs管工作原理 N沟道EMOS管外部工作条件 0(保证漏衬PN结反偏)。 U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏) Ves0(形成导电沟道) 栅~衬之间相当 于以SiO2为介质 O G U 的平板电容器。 P N沟道 EMOSFET沟道形成原理 假设Vs=0,讨论vs作用 Vns=0 反型层 衬底表面层中 负离子↑、电子个 古正 形成空间电