晶体管高频小信号等效电电路和参数.pptVIP

2晶体管高频心等效电路与参数 迈回  引言 晶体管在高频小信号运用时,它的等效电路主要 有两种形式:物理模拟等效电路(混合π参数等效 电路)和形式等效电路(y参数等效电路)。 物理模拟等效电路通常称为混合π等效电路,是 把晶体管内部物理过程用集中元件R婊示,用物 理模拟方法表示等效电路。这在模拟电子技术中曾 提及。 形式等效电路通常亦称为y参数等效电路,是选 取输入电压和输出电压为自变量,输入电流和输出 电流为参变量,利用导纳参数(y参数),并且不 涉及晶体管内部物理过程。 本页完返回  晶体管高颠小信号等效电路与参数 1、晶体管混合n等效电路 本节学习要点要求 2、晶体管数等效电路 3、T参数与声参数的转换 4、晶体管的高频参数 迈回  、晶体管混合π等效电路 3.2晶体管高频小信 号等效电路与参数 1、晶体管混合π等效模型 当电路工作在高频信号时 晶体管的等效模型必须考虑 集m和be的串联极间电容效应,晶体管高频 r为集电区体数值值就是h参数等状态下的等效模型称为混仓兀 电阻,数值很小 效电路中的品体参数/蕈樗鹨尿颏澱模 可忽略。 管输入电阻rbe°型得出夥缴模壁频和低频 rbc为集电 信号的状态下。 结电阻。 rb为基 区体电阻。 hbb rb为发射 (Cu e 结电阻。 rb 为发射区 体电阻,数值 发射结电容, e 很小可忽略 e|数值很小。 晶体管h参数模型页完  、晶体管混合π等效电路 32晶体管高频小信 号等效电路与参 1、晶体管混合π等效模型 因为有n的分流作用 此时受控电流源不受控 C横跨在集电结电 制而受b控制,分析起来 阻r两端。 这个电路就是晶便,所以也改写为 DCTN2 体管混合π模型。倥制,成为压控电 此电阻画在图⊥ ,控制能力也由改 导g 借鉴h参数 绘出等效电路 晶体管结构示意图 C横跨在发射结电 阻两端。 本  晶体管混合π等效电路 32晶体管高频小信 号等效电路与参 2、晶体管简化的混合等效模型「由h参数等效电路知 rc非常大,对l的分流作 是集电结反偏时用很小,可忽略。 的电阻,其阻抗远大 于C的容抗,亦可看 成开路忽略其作用。 Uny 简化后晶体管的混合模型 完整的晶体管混合模型体页  晶体管混合π等效电路 32晶体管高频小信 号等效电路与参 2、晶体管简化的混合π等效模型 本等效电路由于C横跨在输入 和输出之间,令输入与输出相互 采用密勒转换把C拆分为 牵连,使得对电路的分析变得十 两个电容Cu和C1,分别与 分复杂,应想法把晶体管的输入 输入和输出回路并接。(推导 和输出回路相互独立,以便分析 过程可参考童诗白编《模拟 电子技术基础》P24。) 简化后晶体管的混合模型 本  一、晶体管混合π等效电路 32晶体管高频小信 号等效电路与参 2、晶体管简化的混合π等效模型 由密勒定理得 晶体管总的输入电容为 C1=(1+C Cn≈C+C=Cn+区C 其中K=UUbe 另外:C=(K-1)K]C1 般有1,所以 C,很小,容抗很大可忽略。 Cu,≈|C C 8mp c, 8mpbe C 简化后晶体管的混合x模型 晶体管单向化后的混合模型本页完  一、晶体管混合π等效电路 32晶体管高频小信 号等效电路与参 2、晶体管简化的混合π等效模型 通过对晶体管的混合π楫输入信号的高频成份被电容参 数等效电路相比较只是多c分流,令晶体管对高频的放号的 低频成分呈很大的容抗,大能力下降。 島频 成分呈很小的容抗,起到分,使得晶体管的放大能力 有所下降。这就是我们在A要考虑的因素。 C 简化后的晶体管单向化漏合摸型晶体管单向化后的漏合歌模型本页完  、晶体管混合π等效电路 32晶体管高频小信 号等效电路与参 3、混合π模型的主要参数 1)基区电阻rb 其中属是中频 基区电阳m与h参数电路一样,可时晶体管的值。 2)发射结电阻rb rbe=(1+) 26mv 26m lEoMA mA这也与h参数电路一样。 boat bpr 简化后的晶体管单向化漏合示摸型