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《半导体物理学》课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称：《半导体物理学》 所属专业：物理学（电子材料和器件工程方向） 课程性质：专业课 学 分：4 学分 （二）课程简介、目标与任务： 《半导体物理学》是物理学专业（电子材料和器件工程方向）本科生的一门必修 课程。通过学习本课程，使学生掌握半导体物理学中的基本概念、基本理论和基本规律， 培养学生分析和应用半导体各种物理效应解决实际问题的能力，同时为后继课程的学习 奠定基础。 本课程的任务是从微观上解释发生在半导体中的宏观物理现象，研究并揭示微观机 理；重点学习半导体中的电子状态及载流子的统计分布规律，学习半导体中载流子的输 运理论及相关规律；学习载流子在输运过程中所发生的宏观物理现象；学习半导体的基 本结构及其表面、界面问题。 （三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接： 本课程的先修课程包括热力学与统计物理学、量子力学和固体物理学，学生应掌握 这些先修课程中必要的知识。通过本课程的学习为后继 《半导体器件》、《晶体管原理》 等课程的学习奠定基础。 （四）教材与主要参考书： ［1］刘恩科，朱秉升，罗晋生. 半导体物理学（第 7 版）［M］. 北京：电子工业 出版社. 2011. ［2］黄昆,谢希德. 半导体物理学［M］. 北京：科学出版社. 2012. ［3］叶良修.半导体物理学 （第2 版） ［M］. 上册. 北京：高等教育出版社. 2007. ［4］S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (2nded.), Wiley, New York, 2006. 二、课程内容与安排 第一章 半导体中的电子状态 第一节 半导体的晶格结构和结合性质 第二节 半导体中的电子状态和能带 第三节 半导体中电子的运动 有效质量 第四节 本征半导体的导电机构 空穴 第五节 回旋共振 第六节 硅和锗的能带结构 1 第七节 III-V 族化合物半导体的能带结构 第八节 II-VI 族化合物半导体的能带结构 第九节 Si Ge 合金的能带 x x 1- 第十节 宽禁带半导体材料 （一）教学方法与学时分配 课堂讲授，大约 8-10 学时。限于学时，第 8-10 节可不讲授，学生可自学。 （二）内容及基本要求 本章将先修课程《固体物理学》中所学的晶体结构、单电子近似和能带的知识应用 到半导体中，要求深入理解并重点掌握半导体中的电子状态（导带、价带、禁带及其宽 度）；掌握有效质量、空穴的概念以及硅和砷化镓的能带结构；了解回旋共振实验的目 的、意义和原理。 本章的重点包括单电子近似，半导体的导带、价带、禁带及其宽度，有效质量，空 穴，硅、砷化镓的能带结构。难点为能带论，硅、砷化镓能带结构，有效质量。 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 第一节 硅、锗晶体中的杂质能级 第二节 III-V 族化合物中的杂质能级 第三节 氮化镓、氮化铝、氮化硅中的杂质能级 第四节 缺陷、位错能级 （一）教学方法与学时分配 课堂讲授，大约 3-4 学时。限于学时，第 3 节可不讲授，学生可自学。 （二）内容及基本要求 本章主要介绍在常见半导体的禁带中引入杂质和缺陷能级的实验观测结果。要求学 生根据所引入的杂质能级情况，理解杂质的性质和作用，分清浅能级杂质和深能级杂质； 重点掌握施主杂质和 n 型半导体、受主杂质和p 型半导体的概念；掌握杂质电离、电离 能、杂质补偿、杂质浓度的概念，了解缺陷、位错能级的特点和作用。 本章的重点包括施主杂质和施主能级，受主杂质和受主能级，浅能级杂质和深能级 杂质，n 型半导体和 p 型半导体，杂质补偿作用等。难点为杂质能级，杂质电离过程。 第三章 半导体中载流子的统计分布