集成电路与制造工艺流程.ppt

半导体制造工艺流程 半导体相关知识 本征材料:纯硅9-10个9 250000gcm N型硅:掺入V族元素-磷P、砷As、锑 Sb ·P型硅:掺入Ⅲ族元素一镓Ga、硼B ·PN结 P N 半导体元件制造过程可分为 前段( Front End)制程 晶圆处理制程( Wafer Fabrication;简称 Wafer Fab)、 晶圆针测制程( Wafer Probe); °後段( Back End) 构装( Packaging)、 测试制程( Initial Test and Final Test) 晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与 电子元件(如电晶体、电容体、逻辑闸等),为上 述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程, 以微处理器( Microprocessor)为例,其所需处理 步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵, 动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿 度与含尘( Particle)均需控制的无尘室( Clean Room),虽然详细的处理程序是随著产品种类与所 使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆 先经过适当的清洗( Cleaning)之後,接著进行氧 化( Oxidation)及沈积,最後进行微影、蚀刻及离 子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制 作 晶圆针测制程 经过 Wafer Fab之制程後,晶圆上即形成 格格的小格,我们称之为晶方或是晶粒 (Die),在一般情形下,同一片晶圆上 皆制作相同的晶片,但是也有可能在同 片晶圆上制作不同规格的产品;这些晶圆 必须通过晶片允收测试,晶粒将会一一经 过针测( Probe)仪器以测试其电气特性, 而不合格的的晶粒将会被标上记号(Ink Dot),此程序即称之为晶圆针测制程 ( Wafer Probe)。然後晶圆将依晶粒 为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 ●IC構裝製程( Packaging):利用塑膠 或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路 目的:是為了製造出所生產的電路的保 護層,避免電路受到機械性刮傷或是高 溫破壞 半导体制造工艺分类 MOS型 极型 PMO型NMOs型CMos型饱和型非饱和型 BiMOS TTL I2L ECL/CML 半导体制造工艺分类 双极型IC的基本制造工艺 A在元器件间要做电隔离区(PN结隔离、 全介质隔离及PN结介质混合隔离) ECL(不掺金)(非饱和型) TTL/DTL(饱和型)、STTL(饱和型) B在元器件间自然隔离 I2L(饱和型) 半导体制造工艺分类 二 MOSIO的基本制造工艺 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺 其他分类 1、(根据沟道)PMOS、NMOS、CMOS 2、(根据负载元件)E/R、EE、E/D 半导体制造工艺分类 三 Bi-CMOS工艺: A以CMOS工艺为基础 P阱N阱 B以双极型工艺为基础