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开尔纳米产品应用论文（周报） 论文名称 碳化硅半导体 一、本期推介粉体：碳化硅 1、主要技术指标（与本论文相关联的指标） ： 2 、本期重点推介的性能（关键词、句） ： 碳化硅（ SiC ），作为一种新型半导体材料，具有潜在的优点：更小的体积、更有效率、完全 去除开关损耗、 低漏极电流、 比标准半导体 （纯硅半导体） 更高的开关频率以及在标准的 125 ℃ 结温以上工作的能力。 小型化和高工作耐温使得这些器件的使用更加自如， 甚至可以将这些器件 直接置于电机的外壳内。 二、产品应用的主要内容（使用方法、简易流程等） ： 在性能上的增长， 纯硅功率晶体管有着令人羡慕的成绩， 然而， 对于高要求的功率开关和控制的 应用上，它似乎已经到达了它的极限。 碳化硅（ SiC ），作为一种新型半导体材料，具有潜在的优点：更小的体积、更有效率、完 全去除开关损耗、低漏极电流、比标准半导体（纯硅半导体）更高的开关频率以及在标准的 12 5 ℃结温以上工作的能力。小型化和高工作耐温使得这些器件的使用更加自如，甚至可以将这些 器件直接置于电机的外壳内。 任何一种新技术都会经历由发展到成熟的过程， SiC 也不例外。 标准功率开关， 如绝缘栅双 极型晶体管（ IGBT ），有很大的产品基础和优化的生产技术。而 SiC 却需要投入大量经费和研 发资金来解决材料问题和完善半导体制造技术。 然而这种功率开关器件， 能够在正向导通大电流 和反向截止千伏电压之间快速执行开关动作，这样的性能是值得一试的。 SiC 最初的成功应用和主要应用发光二极管， 用于汽车头灯和仪表盘其他照明场合。 其他的 市场包括开关电源和肖特基势垒二极管。 将来会应用到包括混合动力车辆、 功率转换器 （用于减 小有源前置滤波器的体积）和交流 / 直流电机控制上。这些更高要求的应用还没有商业化，因为 它们需要高质量的材料和大规模的生产力来降低成本。 在全世界范围内， 大量的研究经费投入到 了公司、实验室和政府设施，以使 SiC 技术更加可行。一些专家预言， SiC 技术的商业化、工 业化甚至军工应用将在 2 到5 年或者更远的时间内变成现实。 图1 ：APEI Inc. 的这个功能齐全的基于 SiC 的3kW 三相换流器原型， 可以工作于 250 ℃以上的温度。 电机控制生产商对于 SiC 的发展特别有兴趣，有些甚至与研究人员和半导体生产商进行合 作来促进 SiC 的发展。但是他们大多数都对这种协作关系闭口不谈。 SiC 技术的促进者 Rockwell Automation 公司标准驱动部门的顾问工程师 Gary Skibinski 博士说： “Rock well Automation 看到了这个新技术的潜在优点并认为自己是 SiC 技术的促进者。 Rockwell 公司也确定了 SiC 技术会如何融入其将来的商业计划。对于一个领先的公司，理解并接纳新兴 技术是至关重要的。 ” 发展正在逐步进行。 Skibinski 举例道， 在驱动模块的每个标准 IGBT 上附加一个 SiC 功率 二极管， 作用如同变极飞轮二极管， 作为提高生产力逻辑上的第一步；