4.3.1CCD的结构光电成像原理与技术.pdf

4.3.1CCD的结构 CCD的结构 • 转移电极结构：通常按照每位采用的电极相数 来划分。 • 三相电极结构（三相CCD） • 二相电极结构 • 四相电极结构 • 转移沟道结构： • 表面沟道（表面CCD －SCCD） • 体内(埋)沟道(埋沟CCD －BCCD) • 输入输出结构 转移电极结构 • CCD的电极分成几组，每一组称为一相，每一组施加同样的时钟 驱动脉冲。 • CCD工作所需的驱动脉冲相数由其电极结构决定。 • 信号电荷必须在相应驱动脉冲作用下，才能以一定方向逐单元地 转移。 • CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地从一个电极转移到 相邻电极下。 普通结构CCD ，为了使电荷包单向转移，至少需 要三相。 特殊结构CCD ，也可采用二相或四相供电方式。 转移电极结构——三相 三相单层铝电极结构 采用三层多晶硅的三相交叠栅结构 • 三相时钟脉冲有一定的交叠，在交叠区， 电荷包源势阱与接受势阱同时共存，以 保证电荷在这两个势阱间充分转移 • 时钟脉冲的低电平必须保证沟道表面处 采用一层多晶硅的三相电阻海结构 于耗尽状态 • 时钟脉冲幅度选取适当 2  1 1 2 3 4 5 Al 转移电极结构——二相 厚SiO2 薄SiO2 P-Si衬底 （a ） t t1 势能