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SEC MTELECM 8 光耦基础知识及 Avago产品 技术中心 2010-12-14 知识框架 SECM TELEC·M 光耦基础知识 光耦内部结构及工作原理 光耦特性 几种数字隔离器优势对比 光耦分类 相关参数指标说明 光耦的应用 应用领域 几种常用光耦的特性 Avago光耦产品 Avago光耦的特点 Avago光耦的详细产品分类 附:术语说明 SECM TELEC·M 光耦的基础知识 光耦内部结构及工作原理 ISECOM TELEC·M 输入信号vc变换LED透光绝緣层光电转换输出信号 =二二 电→光→电 图↑光耦原理 输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被 光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出 光耦特性SWOT分析SEC M TElEc·M Strengths 共模抑制能力强; Weaknesses: 抗干扰能力强; 无粗点、寿命长 速度受限 效率高 SW Opportunities Threats 对隔离效果要求高 数字隔离器的取代: 开关电源: 度快 功耗低 可靠性高 各种数字隔离器的性能SEc 占 示意图厂商阵营应用场合 光耦抗干扰强 柬度受限、功耗、LED Avago 电机、电源控制 合技 术 Vish Toshiba Fairchild 电感共模差异和差分传输特对外部磁场(噪声)的 ADI 合性(变压器允许噪声磁化 技术和信号频率重叠,但是数据运行长度受限(变 SiliconE tEmA 呈现出噪声高共模阻压器允许的带宽内) 抗和信号低差分阻 电机控制、汽车 体通讯、仪器仪表 信号能量传输可以为近 航天航空等 100%的效率 光耦主要参数 SECOM TELECOM 6N135 Faraday shield, (solation) · nsulation·绝缘耐压Vbom(DE儿EC,vpo · signal Isolation-共模抑制比CMTR=Wus@Vcw ·Gain-电流传输比CTR=(b/l=)100% sped-传输延时tp,tpn,脉宽失真PWD=pu-ta · LED Drive current·LED驱动电流 绝缘耐压 SECM TELEC·M 绝缘耐压用指兇耦保护相关电路及自身免受高压导致的物理损坏能力 爬电距离 光耦的损坏可能由十系统内的高压(比如电机轨电压)或者外来高压(比如雷电 两个导电部件之间,或 ·光耦的酎压能力主要由输入输出C间的绝缘材料和封装的方法决定 导电部件与设备及 由于电气绝缘是安全的关键,在不同地区和不同行业中,都有相关的管理机构来 材料表面测量的最短空 无范光耦的性能 间距离。沿绝缘表面放 电的距离即泄漏距离也 有影响的管理机构 称爬电距离,简称爬距 般有两种测试条件 种为 列颠标准委员会 sec 美国保险商实验室 加拿大标准协会 atO】4t11:I IEEN/》INEN677--2Ir Characteristi←r Saml orTion d opTioN R0 HCPL.T++ HCNw48o4 Indi 共模抑制比 CMR SEC.M TELEC.M cMTR指在每微秒光耦能容许的最大共模电压上升或下降率,这个参数在工业应 用中至关重要,比如电机启动和制动的过程中都会带来极大的共模噪声 由于发光管和 耦合电容很小 (2pF以内) 所以共模输入 电压通过极间 CMh=输出高电平时共模抑制比(Vus) 耦合电容对输 输出低电平时共模抑制比vus) 出电流的影响 电压瞬变 很小,因而共 瞬变脉冲幅值=V 模抑制比很高 PANS ENT Avago光耦使用两项关键技术,去耦屏蔽膜和独特的封装设计,具有业界领先的 CMR性能 Simall-Ontline s( LVdt Vour Transf HCPL-04521 HCNW4502T HCP1-4503t HCP1-4534 HCPL-0453t HCPL-O534HCNW45031 HCPI-sXX 增益-电流传输比SECc· M TELECOM 电流传输比cTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正 向电流之比,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等 于直流输出电流C与直流输入电流的百分比。 CTR=lo/lF 100% CTR衰减= CTR (int-CTR LED效率 越峡利料 光电二 入电流 的近光事 { 电流转换比有一定范围,和LED电流,环境温度都有关系,并且会随使用时间 衰减 采用一只光敏三极管,CTR的范围为20%~300%(如4N35) Pc817则为80%~160%, 达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%