华中科技大学模拟电子技术模电复习大纲剖析.pptVIP

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  • 2020-09-16 发布于福建
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华中科技大学模拟电子技术模电复习大纲剖析.ppt

模拟电子技术基础复习大纲 高等教育出版社康华光 书中有关符号的约定 大写字母、大写下标表示直流量。如,VE、 IC等 小写字母、大写下标表示总量(含交、直流) 如,vcE、i等 ·小写字母、小写下标表示纯交流量。如,v、 等 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。 如,V、i等。 OIE 第一章绪论 电压放大模型 1.输入电阻R1 R 反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。 输入电压信号,R1越大,V;越大 输入电流信号,R;越小,I1越大。 r 外加测试信号R Vr R 放大电路 OIE BACK 2.输出电阻 R R决定放大电路带负载能力 放大电路 ,十它∏R 输出电压信号时,R越小(相对R1),R1对v影响越小, 输出电流信号时,B越大(相对R1),R1对影响越小。 输出电阻的计算 R。=xR1.-R1 =0 放大电路 R BACK NE 频率响应 201glAyl/dB 上、下限频率;带宽 频率失真(线性失真) 非正弦信号「幅度失真 带宽 相位失真 °2如xx1k1流 非线性失真 fu fH 正弦信号饱和失真 截止失真 OME P196题474 第三章二极管及其基本电路 理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子

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