铜制程阻挡层.docVIP

铜制程阻挡层/种子层沉积工艺的最新进展(仅供内部参考) AMAT China 　　随着工艺尺寸的减小，金属连线中的电流密度不断增大，响应时间不断缩短，传统铝布线已达到工艺极限。工艺尺寸小于130纳米后，铜工艺布线被用于生产逻辑电路。与铝工艺相比，铜工艺的特点主要是：刻蚀先于金属沉积，低k介电层材料的运用，纯金属铜布线。铜布线的过程包括阻挡层（barrier）与种子层（seed）的沉积和铜的电镀。目前，阻挡层/种子层的沉积主要是利用PVD（物理气相沉积）工艺。　　目前已有美国、台湾、新加坡、中国等地的芯片制造商将90nm、65nm的铜工艺用于晶片生产或研发。在铜工艺中，阻挡层与种子层沉积的过程将遇到如何实现填充，减少线电阻和接触电阻，提高可靠性，减少成本等问题。　　铜工艺阻挡层与种子层沉积设备含有三种工艺腔，如图1所示，预清腔（Pre-lean）可以用氩气溅射和反应溅射的方法清除前程的残余，阻挡层沉积腔用于沉积氮化钽和钽作为阻挡层，种子层沉积腔用于沉积铜种子层。 　　阻挡层沉积腔　　阻挡层沉积腔运用DDEF（氮化钽沉积＋钽沉积＋刻蚀＋再覆盖）的工艺，在通孔（Via）和沟槽（Trench）表面覆盖上氮化钽和钽的组合层，用于阻挡铜向介电层的扩散。非晶态的氮化钽可以和含氟的介电层接触，且与介电层之间具有较好的粘附性。钽与铜具有较好的粘附性，以钽为基底沉积的铜具有有利于阻止EM（电迁移）的晶面取向，同时α相的钽具有较低的电阻率，有利于降低线电阻。（图2） 　　沉积均匀性　　在双大马士革结构中，尽量少的通孔底部沉积可以降低接触电阻，均匀的通孔底部沉积也可以减小接触电阻值的分布，而沉积均匀性和刻蚀均匀性最终决定了通孔底部沉积性能。　　为了满足工艺尺寸减少对均匀性提出的更高要求，阻挡层沉积腔在磁体设计上做了两个改善：使用LDR magnet（低沉积速率磁铁）可以将钽和氮化钽的沉积速率控制在5埃/秒到15埃/秒，更好的控制沉积均匀性；使用可控的电磁体作为腔壁磁体，在沉积和刻蚀时分别控制腔内磁场和电浆分布，同时得到较好的沉积均匀度和刻蚀均匀度。 　　通孔内沉积　　好的通孔沉积需达到足够的侧壁沉积并尽量减少通孔底部接触电阻，而要通过普通的沉积方法来达到这样的效果是很困难的。过去单纯提高电浆离子化浓度的SIP（自电离电浆）沉积方法得到的是较多的底部沉积，而侧壁沉积却很少。改善这种沉积的方法就是利用反溅射（Re-sputter），反溅射可以实现通孔内薄膜沉积厚度的重新分布。通孔底部沉积的阻挡层材料被反溅射到通孔侧壁，这样就可以得到更薄的底部沉积和更厚的侧壁沉积了。　　通孔内沉积首先是决定于靶材粒子的离子浓度，靶材上直流电能量和腔体内气压将影响离子浓度，通常，增加靶材上的直流能量可以得到较高的离子浓度。低沉积速率磁铁可以提高靶材粒子的电离率，增加阻挡层通孔内沉积。　　得到较多的离子化靶材粒子后，晶片背面的高频交流电所产生的负偏压也将影响通孔内沉积，因为负偏压可以增加离子态粒子运动的方向性。在较高的偏压下，离子态粒子的能量将导致通孔底部的反溅射，降低通孔底部沉积厚度。反溅射比例是衡量反溅射效果的重要参数，更高的反溅射比例将意味着更多通孔底部的靶材被溅射的通孔侧壁。 　　大马士革结构沉积　　在大马士革结构中，运用DDEF工艺（氮化钽沉积＋钽沉积＋刻蚀＋再覆盖）可以将两层铜线连接处的阻挡层材料溅射到侧壁，以降低两层铜线间的Rc接触电阻。阻挡层沉积腔的沉积速率和刻蚀速率对于沟槽和通孔具有选择性，设置合适的沉积和刻蚀窗口，可以在保护沟槽不被破坏的同时减少通孔底部沉积。　　通过前面提到的靶材沉积和反溅射，在沉积过程完成后，结构的不同位置沉积了厚度不同的阻挡层材料，阻挡层在结构顶部和沟槽的沉积厚度将多于通孔底部，即沟槽的沉积速率大于通孔底部的沉积速率。　　在刻蚀的过程中，靶材的刻蚀是通过氩离子轰击实现的。高频的交流能量在靠近晶片的地方产生氩气电浆，晶片背面的偏压吸引氩离子轰击已经沉积在结构中的阻挡层材料，阻挡层材料将被溅射到大马士革结构的侧壁或腔壁上。晶片背面偏压决定了离子轰击的能量，对刻蚀速度的影响最大。　　在刻蚀的过程中，靶材上通有直流电，所以同时也存在靶材的继续沉积。但靶材上加的直流能量较小，被轰击下来的绝大部分是不带电荷的靶材粒子，这些靶材粒子在结构顶部和沟槽表面的沉积将多于通孔底部。而偏压产生的刻蚀作用对结构的各部分是相近的，这样在刻蚀过程中通孔底部由于离子沉积较少，就将产生更大的净刻蚀速率。通孔底部较小的沉积速率和较大的净刻蚀速率最终达到了降低通孔底部沉积且沟槽不被破坏的效果。　　在沉积的过程中，直流能量可以调节离子浓度，晶片背面高频偏压可以调节离子轰击能量，实现了阻挡层在结构不同位置有不同的沉积速率。在刻蚀的过程中，直流能量和