光伏电子工艺与实习 光伏电子工艺与实习 太阳能电池.pptVIP

太阳能电池 ——制作人：符木兰 引言 太阳能每秒钟到达地面的能量高达 80 万亿千瓦，假如把地球表面0.1%的太阳能转为电能，转变率5%，每年发电量可达5.6×1012 千瓦小时(度)，相当于目前世界上能耗的40 倍。 光伏发电 太阳能发展历程 太阳能电池的理论基础： 1839年：法国科学家埃德蒙·贝克雷尔发现 光伏效应 1904年：爱因斯坦提出的 光电效应 太阳能发展历程 1954年：美国贝尔实验室的恰宾、富勒和皮尔松制成第一个效率为6%的太阳能电池； 1958年：经过改造，太阳能电池效率达到10%，并装备于美国的先锋1号人造卫星上； 1960年：硅太阳能电池发电首次并入常规电网 1973年：美国制定了政府级阳光发电计划； 1980年：又正式将光伏发电列入公共电力规划，累计投资达8亿多美元； 1994年：美国在财政预算中，光伏发电的预算达7800多万美元，比1993年增加了23．4％； 太阳能发展历程 1997年：美国和欧洲相继宣布“百万屋顶光伏计划”，美国计划到2010年安装1000～3000MW太阳电池。 日本不甘落后，1997年补贴“屋顶光伏计划”的经费高达9200万美元，安装目标是7600Mw。 印度计划1998－2002年太阳电池总产量为150MW，其中2002年为50MW。 在1997-2007年的10年中，太阳能电池的产量从126MW快速发展到2500MW，年增长率达到41.3%。 太阳能发展历程 太阳能发展历程 现在常规能源与太阳能的比较 现在常规能源与太阳能的比较 现在常规能源与太阳能的比较 太阳能行业现状 太阳能行业现状 太阳能电池的更新换代 第一代：单晶硅和多晶硅两种； 第二代：薄膜太阳能电池； 第三代：铜铟镓硒CIGS（CIS中掺入Ga）等 化合物薄膜太阳能电池及薄膜Si系太阳能电池 太阳能电池的更新换代 第一代太阳能电池占太阳能电池产品市场的89.9％。第一代太阳能电池基于硅晶片基础之上，主要采用单晶体硅、多晶体硅为材料。其中，单晶硅电池转换效率最高，可达到18－20％，但生产成本高。多晶硅电池转换效率低一些，可达到14－16％，由于生产成本低而成为目前的主流。 太阳能电池的更新换代 第二代太阳能电池占太阳能电池产品市场的9.9%，第二代太阳能电池基于薄膜技术基础之上，主要采用非晶硅及氧化物等为材料为材料。效率比第一代低，最高的的转化效率为13％，但生产成本最低（单晶硅的1/5）。 太阳能电池的更新换代 第三代太阳能电池现在还处于实验室生产状态。第三代太阳能电池的效率为17%，成本仅有单晶硅的1/3.由于其的高效率，低成本而存在潜在庞大的经济效应。但由于技术还未成熟，因此产量很少，仅占世界的0.2%。 太阳能电池的更新换代 * * All power come from sun! 太阳能发展历程 现在常规能源与太阳能的比较 太阳能行业现状 太阳能电池原理 太阳能电池的更新换代 1954年，第一个太阳能电池 1958年，先锋1号 屋顶的太阳能板 世博园林 清洁 安全 广泛 资源充足 长寿命 优点 潜在的经济性 能量密度低 价格贵 效率低 能源储存 缺点 间歇性和随机性 2006年 2009年 1999－2007 年世界太阳能电池产量的变化 太阳能行业现状 太阳能灯 太空方面 交通设施方面 家电方面 太阳能车和游艇 通信方面 领域 一、太阳电池能量转换的基础是结的光生伏特效应。当光照射到p-n结上时，产生电子----空穴对，在半导体内部结附近生成的载流子(电子和空穴)没有被复合而到达空间电荷区，受内建电场的吸引，电子流入n区，空穴流入p区，结果使n区储存了过剩的电子，p区有过剩的空穴。它们在p-n结附近形成与势垒方向相反的光生电场。光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外，还使p区带正电，N区带负电，在N区和P区之间的薄层就产生电动势，这就是光生伏特效应。 光生伏特效应 二、杂质半导体 杂质半导体有两种 N型半导体 P型半导体 1、N型半导体 ⑴ 构成 在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素,也称电子半导体。 一般掺入的5价元素如磷，锑，砷等。 太阳能电池原理 ⑵ 原子结构 本征半导体中掺入5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个电子，其中4个与硅构成共价键，多余1个电子只受自身原子核吸引，室温下即可成为自由电子。 电子为多子，空穴为少子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 自由电子 5价原子 　　图 3　N 型半导体 太阳能电池原理 自由电子数目远大于空穴数目 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 空穴 3价原子 　　图 3　P 型半导体 2 P型半导