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1. 有关晶面及晶向附图所示。
2. 见附图所示。
3. {100}= (100)十(010)+(001),共 3 个等价面。
{110}=(110)十 ( 1 10 )+(101)+(101 )+(011)+(0 11 ),共 6 个等价面。
{111}=(111)+(1 11 )+(1 1 1)+(11 1 ),共 4 个等价面。
{112} (112)
(1 12)
(1 1 2)
(112)
(121)
( 121)
(121)
(12 1)
( 211)
( 211)
(2 11)
(211)
共 12 个等价面。
4. 单位晶胞的体积为 VCu= nm3(或× 10-28m3)
5. (1) nm;(2) nm。
6. Cu 原子的线密度为× 106 个原子 /mm 。
Fe 原子的线密度为× 106 个原子 /mm 。
7. 1.6l×l013 个原子 /mm 2;个原子 /mm 2;× 1013 个原子 /mm 2。
8. (1) ×1028 个矽原子 /m 3; (2) 。
9. 9. 0.4×10-18/ 个原子。
10. × 1014 倍。
11. (1) 这种看法不正确。在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体
相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。位错环的柏氏矢量为 b,故其相对滑移了一个 b 的距离。
AB为右螺型位错, CD为左螺型位错; BC为正刃型位错, DA为负刃型位错。位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图所示。
12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力 τ0,的方向应与 de 位错线平行。
(2)在上述切应力作用下,位错线 de 将向左 (或右 )移动,即沿着与位错线 de 垂直的方向 (且在滑移面上 )移动。在位错线沿滑移面旋转 360°后, 在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个 b 的台阶。
b a [1 10] | b | 2 a
13. (1) 2 ,其大小为 2 ,其方向见附图所示。
位错线方向及指数如附图所示。
a [11 1]
2 a2
.
(1)
能。几何条件:∑
b
前
=∑ b
后
=
3
;能量条件:∑ b
前
2
3
∑
14
b
a 2
2= 3
不能。能量条件:∑ b 前 2=∑ b 后 2,两边能量相等。
不能。几何条件:∑ b 前 =a/b[557] ,∑ b 后=a/b[11 ˉ1],不能满足。
3 a2
(4) 不能。能量条件:∑ b 前 2=a2 ∑ b 后 2= 2 ,即反应后能量升高。
a [ 1 11]
15. (1) 能够进行。因为既满足几何条件:∑
b 前 =∑ b 后= 3
,又满足能量
2 a 2
1 a 2
条件:∑ b
前
2
=
3
∑
b
后
2
3
a [ 1 11]
(2) b 合 = 3 ;该位错为弗兰克不全位错。
16. (1)假设晶体中位错线互相缠结、互相钉扎,则可能存在的位错源数目
n
1010 ~ 1011
l
个/ Cm3 。
(2) Niτ=× 107 Pa。
17. 当 θ=1°, D=14 nm;θ=10°, D= nm 时,即位错之间仅有 5~6 个原子间距,此时位错密度太大,说明当 θ角较大时,该模型已不适用。
18. 畸变能是原来的倍 (说明形成亚晶界后,位错能量降低 )。
19. 设小角度晶界的结构由刃型位错排列而成,位错间距为
D。晶界的能量 γ
El
E
由位错的能量
E 构成,设
l 为位错线的长度,由附图可知,
Dl
D
E
Gb2
ln R
E中心
由位错的能量计算可知,
4
(1
) r0
取 R=D (超过 D 的地方,应力场相互抵消 ),r0=b 和 θ= b/D 代入上式可得:
=
[
Gb 2
ln
D
E中心 ]
b
4
(1
)
b
G
b
ln 1
E中心
4
0 ( A ln )
(1
)
b
式中
Gb
0= ,
4 (1 )
4 (1 )E中心
A
Gb
20. (1)晶体点阵也称晶体结构,是指原子的具体排列;而空间点阵则是忽略了原子的体积,而把它们抽象为纯几何点。
密排六方结构。
原子半径发生收缩。这是因为原子要尽量保持自己所占的体积不变或少变
[原子所占体积 VA=原子的体积 (4/3 πr3+间隙体积 ],当晶体结构的配位数减小
时,即发生间隙体积的增加,若要维持上述方程的平衡,则原子半径必然发生收缩。
不能。因为位错环是通过环内晶体发生滑移、环外晶体不滑移才能形成。
外力在滑移面的滑移方向上的分切应力。
始终是柏氏矢量方向。
位错的交割。
共格界面。
否,扭转晶界就由交叉的同号螺型位错构成。
1. 其比较如附表所示。
附表 间隙固溶体与间隙化合物的比较
类 别 间隙固熔体
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