西北工业大学精选材料科学基础课后题含答案.docVIP

西北工业大学精选材料科学基础课后题含答案.doc

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1. 有关晶面及晶向附图所示。 2. 见附图所示。 3. {100}= (100)十(010)+(001),共 3 个等价面。 {110}=(110)十 ( 1 10 )+(101)+(101 )+(011)+(0 11 ),共 6 个等价面。 {111}=(111)+(1 11 )+(1 1 1)+(11 1 ),共 4 个等价面。 {112} (112) (1 12) (1 1 2) (112) (121) ( 121) (121) (12 1) ( 211) ( 211) (2 11) (211) 共 12 个等价面。 4. 单位晶胞的体积为 VCu= nm3(或× 10-28m3) 5. (1) nm;(2) nm。 6. Cu 原子的线密度为× 106 个原子 /mm 。 Fe 原子的线密度为× 106 个原子 /mm 。 7. 1.6l×l013 个原子 /mm 2;个原子 /mm 2;× 1013 个原子 /mm 2。 8. (1) ×1028 个矽原子 /m 3; (2) 。 9. 9. 0.4×10-18/ 个原子。 10. × 1014 倍。 11. (1) 这种看法不正确。在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体 相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。位错环的柏氏矢量为 b,故其相对滑移了一个 b 的距离。 AB为右螺型位错, CD为左螺型位错; BC为正刃型位错, DA为负刃型位错。位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图所示。 12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力 τ0,的方向应与 de 位错线平行。 (2)在上述切应力作用下,位错线 de 将向左 (或右 )移动,即沿着与位错线 de 垂直的方向 (且在滑移面上 )移动。在位错线沿滑移面旋转 360°后, 在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个 b 的台阶。 b a [1 10] | b | 2 a 13. (1) 2 ,其大小为 2 ,其方向见附图所示。 位错线方向及指数如附图所示。 a [11 1] 2 a2 . (1) 能。几何条件:∑ b 前 =∑ b 后 = 3 ;能量条件:∑ b 前 2 3 ∑ 14 b a 2 2= 3 不能。能量条件:∑ b 前 2=∑ b 后 2,两边能量相等。 不能。几何条件:∑ b 前 =a/b[557] ,∑ b 后=a/b[11 ˉ1],不能满足。 3 a2 (4) 不能。能量条件:∑ b 前 2=a2 ∑ b 后 2= 2 ,即反应后能量升高。 a [ 1 11] 15. (1) 能够进行。因为既满足几何条件:∑ b 前 =∑ b 后= 3 ,又满足能量 2 a 2 1 a 2 条件:∑ b 前 2 = 3 ∑ b 后 2 3 a [ 1 11] (2) b 合 = 3 ;该位错为弗兰克不全位错。 16. (1)假设晶体中位错线互相缠结、互相钉扎,则可能存在的位错源数目 n 1010 ~ 1011 l 个/ Cm3 。 (2) Niτ=× 107 Pa。 17. 当 θ=1°, D=14 nm;θ=10°, D= nm 时,即位错之间仅有 5~6 个原子间距,此时位错密度太大,说明当 θ角较大时,该模型已不适用。 18. 畸变能是原来的倍 (说明形成亚晶界后,位错能量降低 )。 19. 设小角度晶界的结构由刃型位错排列而成,位错间距为  D。晶界的能量 γ El  E 由位错的能量  E 构成,设  l 为位错线的长度,由附图可知,  Dl  D E Gb2 ln R E中心 由位错的能量计算可知, 4 (1 ) r0 取 R=D (超过 D 的地方,应力场相互抵消 ),r0=b 和 θ= b/D 代入上式可得: = [ Gb 2 ln D E中心 ] b 4 (1 ) b G b ln 1 E中心 4 0 ( A ln ) (1 ) b 式中 Gb 0= , 4 (1 ) 4 (1 )E中心 A Gb 20. (1)晶体点阵也称晶体结构,是指原子的具体排列;而空间点阵则是忽略了原子的体积,而把它们抽象为纯几何点。 密排六方结构。 原子半径发生收缩。这是因为原子要尽量保持自己所占的体积不变或少变 [原子所占体积 VA=原子的体积 (4/3 πr3+间隙体积 ],当晶体结构的配位数减小 时,即发生间隙体积的增加,若要维持上述方程的平衡,则原子半径必然发生收缩。 不能。因为位错环是通过环内晶体发生滑移、环外晶体不滑移才能形成。 外力在滑移面的滑移方向上的分切应力。 始终是柏氏矢量方向。 位错的交割。 共格界面。 否,扭转晶界就由交叉的同号螺型位错构成。 1. 其比较如附表所示。 附表 间隙固溶体与间隙化合物的比较 类 别 间隙固熔体

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