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输出电压与其两个输入端的电压之间存在线性放大关系,即 uO uP-uN 集成运放的工作区域 线性区域: Aod为差模开环放大倍数 非线性区域: 输出电压只有两种可能的情况: +UOM或-UOM UOM为输出电压的饱和电压。 +UOM -UOM ...... * 4.2 集成运放中的电流源电路 集成运放电路中的晶体管和场效应管除了作为放大管外,还构成电流源电路,为各级提供合适的静态电流; 或作为有源负载取代高阻值电阻,从而增大放大电路的电压放大倍数。 4.2.1 基本电流源电路 ...... * 一、镜像电流源 (电流镜 Current Mirror) +VCC R IREF + + T1 T2 IC2 IB1 IB2 2IB IC1 UBE1 UBE2 基准电流 由于 UBE1 = UBE2,T1与 T2 参数基本相同,则 IB1 = IB2 = IB;IC1 = IC2 = IC 所以 当满足 ? 2 时,则 图 4.2.1 ...... * +VCC R IREF + + T1 T2 IC2 IB1 IB2 2IB IC1 UBE1 UBE2 二、比例电流源 R1 R2 由图可得 UBE1 + IE1R1 = UBE2 + IE2R2 由于 UBE1 ? UBE2 ,则 忽略基极电流,可得 两个三极管的集电极电流之比近似与发射极电阻的阻值成反比,故称为比例电流源。 图 4.2.2 比例电流源 ...... * 三、微电流源 在镜像电流源的基础上接入电阻 Re。 +VCC R IREF T1 T2 IC2 2IB IC1 Re Re 引入Re使 UBE2 UBE1,且 IC2 IC1 ,即在 Re 值不大的情况下,得到一个比较小的输出电流 IC2 。 图 4.2.3 微电流源 ...... * +VCC R IREF T1 T2 IC2 2IB IC1 Re 基本关系 因二极管方程 若 IC1和 IC2 已知,可求出 Re。 图 4.2.3 微电流源 ...... * 复习: 1.集成运放的电路结构特点? 2.集成运放的组成部分? 输入级常用什么结构? 输出级常用什么结构? 3.集成运放的二个工作区域?各自特点? ...... * 4.2.2 改进型电流源电路 问题:基本电流源电路在?很小时, IR和 IC2相差很大。 为了减小基极电流的影响,提高输出电流与基准电流的传输精度,稳定输出电流,可对基本电流源电路进行改进。 一、加射极输出器 的电流源 R IC2 VCC T3 T2 T1 Re3 IC1 IREF IB ...... * 由于增加了T3,使IC2更加接近IREF(如何证明) 缺点: 1. 受电源波动影响大; 2.电流最低至mA级。 IC2=IC1=IREF-IB3 =IREF-IE3/(β+1) 如β=10 IC2=0.982 IREF 增加电阻Re2 目的是使IE3增大。 图4.2.4加射极输出器的电流源 R IC2 VCC T3 T2 T1 IC1 IREF IB3 Re2 ...... * 二、威尔逊电流源 T1管的c--e串联在T2管的发射极,其作用与典型的工作点稳定电路中的Re相同。 图4.2.5 威尔逊电流源 公式推导(略) 当β=10 IC2=0.984 IR 可见,在β很小时,也可认为IC2= IR 。 IC2受基极电流影响很小。 R IR IC2 +VCC IC0 IC 问题:IR如何计算? ...... * 4.2.3 多路电流源 T1 IC1 IC2 IC3 Re1 Re2 Re3 T2 T3 电路图 公式推导 IC= IE =IREF - ∑ IB/(β+1) 当β较大时 IC=IREF 由于各管的β, UBE相同, IERE≈IREFRE=IE1RE1 =IE2RE2=IE3RE3 IC2≈IE2=IREFRE/RE2 IC3≈IE3=IREFRE/RE3 IC1≈IE1=IREFRE/RE1 所以 IC T ∑IB R IREF VCC T0 Re IE 图4.2.6基于图4.24的多路电流源 ...... * 多集电极管构成的 多路电流源 图4.2.7 多集电极管构成的多路电流源 当基极电流一定时,集电极电流之比等于它们的集电区面积之比。 MOS管多路电流源 图4.2.8 MOS管多路电流源 设沟道宽长比W/L=S 漏极电流之比正比于沟道的宽长比。 ...... * 例4.2.1 图4.2.9所示电路是F007的电流源部分。其中T10与T11为纵向NPN管; T12与T13是横向PNP管,它们的β为5,b-e间电压值约为0.7V,试求各管的电电
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