电力电子技术第六节...pptVIP

电力电子器件器件的保护 RC过电压抑制电路 直流侧 阀侧 网侧 Cdc Rdc Ra Ra Ca Ca ~ + - Cdc Rdc Ra Ra Ca Ca + - ~ R2 R1 C1 C2 电力电子装置 反向阻断式过电压抑制电路 图1-35　RC过电压抑制电路联结方式 a) 单相 b)三相 电力电子器件器件的保护 缓冲电路(Snubber Circuit) ： 又称吸收电路，抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 du/dt抑制电路（关断缓冲电路）——吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。 di/dt抑制电路（开通缓冲电路）——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。 电力电子器件器件的保护 di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路 b) t u CE i C O d i d t 抑制电路 无 时 d i d t 抑制电路 有 时 有缓冲电路时 无缓冲电路时 u CE i C 电力电子器件器件的保护 RC吸收电路和放电阻止型RCD缓冲电路 RC吸收电路主要用于小容量器件 放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件 电力电子器件器件的保护 过电流保护 过电流继电器整定在过载时动作。 电子电路作为第一保护措施；直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护；快熔仅作为短路时的部分区段的保护。 负载 触发电路 开关电路 过电流 继电器 交流断路器 动作电流 整定值 短路器 电流检测 电子保护电路 快速熔断器 变流器 直流快速断路器 电流互感器 变压器 电力电子器件的串并联使用 电力电子器件的串并联使用 晶闸管串并联使用： 当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。当需要承担较大的电流，可以采用多个器件并联 问题：因特性差异，使器件电压、电流分配不均匀 电力电子器件的串并联使用 均压措施 选用参数和特性尽量一致的器件。 静态均压措施： 采用电阻均压Rp （Rp阻值应显著小于器件阻断时的正、反向电阻） 动态均压措施： 用RC并联支路作动态均压。 采用门极强脉冲触发，减小器件开通时间差异。 电力电子器件的串并联使用 均流措施： 挑选特性参数尽量一致的器件。 采用均流电抗器。 门极强脉冲触发。 当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接。 电力电子器件的串并联使用 电力MOSFET并联运行的特点 Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。 IGBT并联运行的特点 在1/2或1/3额定电流以上的区段，通态压降具有正温度系数。并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。 P+ 注入区：ＩＧＢＴ导通时，Ｐ＋区向Ｎ区注入少子，使ＲＮ减小（ＲＮ，调制电阻）　 P器件、N器件； N器件居多 UGE（th）能实现电导调制的最低电压， UGE（th）随着温度降低而升高 饱和区: 对于栅源电压饱和 MOSFET非饱和：漏电流随漏源电压变化，漏电流未饱和 MOSFET饱和： 漏电流相对于漏源电压饱和（UGS很小的区域，漏电流受限） GTR饱和： 漏电压相对于栅源 电压饱和 GTR放大： 漏电压与栅源电压成比例放大关系 擎住效应-----决定了IGBT容量 动态擎住效应对应的集电极电流比动态擎住效应还小，因此容量主要由动态擎住效应决定 应用范围： 功率KW到MW级，开关频率达100KHZ以上 ABB ABB 开通：强度，上升沿应足够陡峭，使所有单元同时导通，否侧部分导通将使局部电流过大导致器件过热损坏。宽度，应使所有单元完成导通过程。 关断：为了加快关断过程，常希望门极负电流保持较大值，且为了保证可靠关断，常希望负电压保持较长时间，以减小误导通的可能。 直接耦合-------直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿。应用较广，但其功耗大，效率较低。 磁隔离（脉冲变压器）-------- 多用于对大功率器件的驱动，可以降低触发电路的信号要求；但脉冲变压器触发容易在电路内部产生干扰和寄生振荡，且不能保证较陡的脉冲前沿。 光隔离--------光耦合器，开关速度快（开关频率100K~1M），使用中须注意反向输出特性 直接耦合：直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿。应用较广，但其功耗大，效率较低。 VD R3 ：脉冲变压器的泄流回路 推挽式输出(长线驱动) 其中比较器输出高电平时下面的PNP三极管截止，而上面三极管导通，输出电平VS+；当比较器输出低电平时则恰恰相反反，PNP三极管导通输出和地相连，为低电平 二极管倍压整流：两个二极管反向并联，