mos场效应晶体管的结构工作原理和输出特性.pptxVIP

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2020-09-29 发布于上海
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mos场效应晶体管的结构工作原理和输出特性.pptx

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;场效应晶体管的分类;MOSFET相比双极型晶体管的优点; N沟道增强型MOSFET 的结构示意图和符号见图 02.13。其中： D(Drain)为漏极，相当c； G(Gate)为栅极，相当b； S(Source)为源极，相当e。图4.1 N沟道增强型 MOSFET结构示意图（动画2-3）; 如果在同一N型衬底上同时制造P沟MOS管和N沟MOS管，（N沟MOS管制作在P阱内），这就构成CMOS 。;;;;;;;;;4.1.3 MOSFET的分类; MOSFET的四种类型;;; 图4.6 各类场效应晶体管的特性曲线;;;;;; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ;(2)场效应三极管的型号;几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。 ;2020/4/10;2020/4/10;半导体三极管图片;半导体三极管图片