双有源层异质结构a-IZOIGZO TFT的模拟与优化.pdfVIP

双有源层异质结构a-IZO/IGZO TFT 的模拟与优化 目前,显示技术的突飞猛进,传统的材料如非晶硅由于其透光性差,迁移率低 等问题已无法满足人们对显示的高需求。寻找可代替非晶硅的新材料成为研究人 员发展显示技术的新方向,其中非晶铟镓锌氧化物 (amorphous-Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZ O)材料就是显示技术领域发展 的新产物。 与传统的非晶硅相比,非晶氧化铟镓锌具有迁移率、均匀性好、在可见光范 围内有高透光率、在柔性衬底上可以利用低温工艺进行大面积制备等特点,这些 优势使得a-IGZO 薄膜晶体管(TFT)在传感器、柔性电子器件、以及高分辨率平板 显示器方面有着广泛应用其前景。但是由于a-IGZO 材料由于稳定性不高无法投 入到大规模的生产和应用当中,为了解决这一问题,研究学者提出了双有源层结 构的非晶氧化物a-IZO/IGZO TFT。 本文在此基础上,考虑到a-IZO 和a-IGZO 导电类型相同,都为n 型,并且具有 不同的电子亲和势和带隙,接触后会形成同型异质结构,利用仿真软件SILVACO TCAD 对双有源层异质结构a-IZO/IGZO 的性能进行了仿真和优化。论文主要工作 分为三个部分。 首先是对非晶氧化物薄膜晶体管的光学特性、电学特性进行分析,同时介绍 了a-IGZO TFT 的导电机制和器件仿真的仿真环境。其次,通过SILVACO 软件当中 的ATLAS 仿真模块建立异质结构a-IZO/IGZO TFT 的器件模型和态密度模型,并对 不同有源层厚度比下的器件特性进行仿真对比,通过改变氧空位态密度模型参数 研究氧空位态密度峰值、标准差以及平均能量对器件电学性能的影响,仿真发现 当有源层厚度比a-IZO:a-IGZO=20:20 时器件性能达到最优,前沟道a-IZO氧空 态参数的改变对器件几乎没有影响,而背沟道a-IGZO 氧空位态参数是影响器件 特性的关键。 最后,考虑到有源层异质结界面态会对器件产生影响,而这一点很少有研究 学者进行讨论,所以通过建立界面态模型,将其加入到器件模型当中,对比研究有 无界面态情况下a-IZO/IGZO TFT 的具体变化,以及界面态密度参数的改变对器件 特性的影响。通过仿真发现界面态的存在会使阈值电压和亚阈值摆幅增大,降低 器件的性能,在a-IZO 厚度为5 nm 时对器件的影响最大,界面态密度参数中的界 面受主尾态密度和特征斜率的改变会影响到器件的电学特性。