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光伏检测——位错密度的测定 XQ 编写 一、位错密度的测定步骤 1、 切割、研磨样品。 2 、 化学抛光：采用 HF:HNO 3=1 ：（3~5) 的抛光液。注意反应不要太剧烈，以避免样品氧化。 最好不让晶体表面暴露于空气之中。 3 、 化学腐蚀：一般 HF:CrO 3 (33%) 水溶液 =1 ：1 的腐蚀液，此腐蚀液具有择优性，且显示可 靠。 4 、 在腐蚀液中侵泡 10～ 15min 可以全部显露出来。 5 、 在显微镜下观看位错的面密度（ ND ） N N D S S——单晶截面积； N ——穿过截面积 S 的位错线。 金相显微镜视场面积的大小需依据晶体中位错密度的大小来选定。一般位错密度大时， 4 2 放大倍数也应大些。国家标准（ GB1554-79 ）中规定：位错密度在 10 个 /cm 以下者，采用 2 4 2 2 1mm 的视场面积；位错密度在 10 个/cm 以上者，采用 0.2 mm 的视场面积。并规定取距 边缘 2mm 的区域内的最大密度作为出厂依据。 二、样品制备 1、根据晶体收尾情况及位错线的长度，在晶体上标明位错片的位置，头部在等径处标 明位错片位置。 2、从硅单晶部位取厚度为 3mm 硅片并编号。 3、硅片用金刚砂研磨只无刀痕、无滑道，并清洗干净（金刚砂粒度不大于 28 μm ）。 4、进行化学抛光，待硅片与抛光液反应产生的氮氧化物黄色烟雾快尽时，用大量离子 交换水冲洗干净，重复上述操作，直到样品光亮至镜面。要求抛光面无划道、无浅坑、无氧 化、无沟槽等。 抛光液配比： HF:HNO 3=1 ：（3~5) （体积比） HF 纯度：化学纯 HNO 3 纯度：化学纯 三、 （100）缺陷显示 将样品待测面向下放入腐蚀槽中，倒入足量的 Shimmel 腐蚀液进行腐蚀，使液面高出 样品 1cm，腐蚀时间为 10～ 15min 。 Shimmel 腐蚀液配比： HF: 铬酸溶液 =2 ：1 （体积比）使用前配置 铬酸溶液配置：称取 75g CrO 3 放入 1000mL 容量瓶中，用水完全溶解后（需搅拌） ，在 用水稀释至刻度，摇匀。 HF 纯度：化学纯 CrO3 纯度：化学纯 四、缺陷显示 1、在无光泽黑色背景下的平行光照射下，用肉眼观察样品缺陷的宏观分布。 2、在显微镜下根据缺陷的微观特征判断缺陷的性质。若观察到有位错存在，则必须计 算其密度。 五、三氧化铬简介 三氧化铬，分子量 100.01g/mol ，红色晶体，易潮解，强氧化剂。高毒性，致癌性。 呼吸系统防护： 可能接触其粉尘时， 应该佩戴自吸过滤式防尘口罩。 必要时， 佩戴自给 式呼吸器。 手防护：戴橡胶手套 急救措施：皮肤接触：脱去被污染的衣着，用肥皂水和清水彻底冲洗皮肤；眼睛 接触：提起眼睑，用流动清水或生理盐水冲洗，就医。 真正好的朋友，从来不需要这些表面功夫。走在这漫漫 俗尘，形如微尘的我们，每天忙碌的像只蝼蚁，哪有时间去整那些虚假的表面文章。那些沉淀在岁月里的真情实意，哪一个不是无事各自忙，