制绒清洗工艺文件.pdfVIP

江西天能电力股份有限公司 文件名称：156多晶硅片绒面制备工艺 文件编号： 版本：TNSC-01: 编制部门：技术部 生效日期： 页数： 1.标题 156mm*156mm多晶硅片绒面制备和清洗甩干工艺。 2.目的 2.1清洗多晶硅片表面油污和损伤层、氧化层的去除。 2.2在多晶硅片表面制备一个反射率较低的织构表面。 3.适用范围 适用于无锡市瑞能科技有限公司DUZQJ-9000 型多晶硅制绒清洗机及QSJ-03 型清洗 甩干机。 多晶硅片绒面制备(硅片型号：156mm*156mm) 4.定义 多晶硅在去清洗腐蚀后，目视硅片表面呈均匀的灰黑色，没有明显的斑点，多晶晶 界不明显。显微镜下，绒面形貌均匀，硅片表面无明显台阶。 5.职责 5.1所有操作人员都必须严格按照本文件进行操作； 5.2在操作过程中遇到问题应及时向相关技术人员反应，相关技术员及时提供帮助。 6.内容 6.1插片 6.1.1主要原材料： 合格的多晶硅片 6.1.2工装、设备： 片架（小花蓝） 清洗花篮 美工刀 6.1.3工艺过程 6.1.3.1穿戴好工作服、工作帽、口罩和一次性手套。 6.1.3.2准备好片架、装片记录表以及工序流程卡。 6.1.3.3查看配料单，确认原材料信息以及数量，并填写装片记录和工序流程卡。 6.1.3.4检查硅片包装箱确认包装无撞击破损后打开，取出硅片包装盒，在装片记录上记 录相关信息。 6.1.3.5打开硅片包装盒，从中抽取一片，按照检验标准分别检查其外观。 6.1.3.6取出包装盒内的硅片，并撵成扇形轻轻插入片架内。 6.1.3.7将装好硅片的片架分批按顺序整齐摆放在台面上，并将工序流程卡记录准确。 6.1.3.8将片架放入清洗花篮中每个清洗花篮中放置3×4个插片后的片架。准备下一步 腐蚀清洗。 6.1.3.8注意事项 1.每个片架最多可以插片25片。插片过程中对硅片进行检验，不合格硅片挑出。每 装100片硅片需要更换一次手套，如装片过程中手套破损需及时更换。 2.插片处打开包装箱拿取硅片时，遵循少量多次的原则，不允许一次拿过量的硅片。 3.插片时，手中拿的硅片数量在50-100片。 4.确保没有缺陷片流出。 5.确认在单个片槽内没有双片现象；各项数据的准确性和完整性。 装片过程中需及时将碎片、裂纹片以及其它与检验标准 不相符合的硅片挑出，并做 好记录。 6.2腐蚀清洗 6.2.1开机 打开氮气阀门、压缩空气阀门、纯水阀门，打开总电源→PLC 电源→各分电源 6.2.2准备工作 6.2.2.1确认各机械手是否在原点位置。 6.2.2.2确认各槽清洗状态正常，各槽内按工艺条件正确配液，见《清洗配液作业指导书》。 6.2.2.3确认各槽排水阀关闭，无漏液等，各槽内注入规定的溶液。 6.2.2.4确认各槽控制系统工作正常，程序准确，参数设定准确。 6.2.2.5点检各设备动力参数在规定范围内。 6.2.3关机 6.2.2.1 关机前先把水及药液完全排出（各槽逐个排液，防止副槽水溢流），把机械手打 回原点。 6.2.2.2 关闭各分电源→PLC 电源→总电源→氮气、压缩空气、纯水阀。 6.2.4 工艺过程 酸腐蚀制绒：8 槽清洗机中的第 1 槽，工作温度 7℃±1℃，时间 120±10sec （时间 长短根据硅片减薄量控制，156 硅片减薄量控制在每片 0.40～0.55g。 漂洗/喷淋：8 槽清洗机中的第 2 槽，水洗槽 时间 2～5 min。 KOH 碱洗：8 槽清洗机中的第 3 槽，KOH 百分浓度 2.4%，时间 6～12sec。 漂洗：8 槽清洗机中的第 4 槽，水洗槽 时间 2～4sec。 HCl 酸洗：8 槽清洗机中的第 5 槽，HCl＋HF 百分浓度 5～10%，时间 2～4sec。 漂洗：8 槽清洗机中的第 6、7 槽，漂洗槽 时间 2～4sec。 喷淋：8 槽清洗机中的第 8 槽，喷淋槽 时间 1～3sec。 6.2.5 工艺说明 6.2.5.1 表面绒面均匀、无亮块、无白斑（干燥硅