I2C的5V和3.3V电平转换的经典电路.pdfVIP

. I2C 的 5V 和 3.3V 电平转换的经典电路 在电平转换器的操作中要考虑下面的三种状态： 1 没有器件下拉总线线路。 “低电压 ”部分的总线线路通过上拉电阻 Rp 上拉至 3.3V 。 MOS-FET 管的 门极和源极都是 3.3V ， 所以它的 VGS 低于阀值电压， MOS-FET 管不导通。这就允许 “高电压 ”部分的 总线线路通过它的上拉电阻 Rp 拉到 5V 。此时两部分的总线线路都是高电平，只是电压电平不同。 2 一个 3.3V 器件下拉总线线路到低电平。 MOS-FET 管的源极也变成低电平，而门极是 3.3V 。 VGS 上升高于阀值， MOS-FET 管开始导通。然后 “高电压 ”部分的总线线路通过导通的 MOS-FET 管被 3.3V 器 件下拉到低电平。此时，两部分的总线线路都是低电平，而且电压电平相同。 3 一个 5V 的器件下拉总线线路到低电平。 MOS-FET 管的漏极基底二极管 “低电压 ”部分被下拉直到 VGS 超过阀值， MOS-FET 管开始导通。 “低电压 ”部分的总线线路通过导通的 MOS-FET 管被 5V 的器 件进一步下拉到低电平。此时，两部分的总线线路都是低电平，而且电压电平相同。 这三种状态显示了逻辑电平在总线系统的两个方向上传输， 与驱动的部分无关。 状态 1 执行了电平转换 功能。状态 2 和 3 按照 I2C 总线规范的要求在两部分的总线线路之间实现 “线与 ”的功能。 除了 3.3V VDD1 和 5V VDD2 的电源电压外，还可以是例如： 2.5V VDD1 和 12V VDD2 。 在正常操作 中，VDD2 必须等于或高于 VDD1 （在开关电源时允许 VDD2 低于 VDD1 ）。 MOS-N 场效应管 双向 电平转换 电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 . . 如上图所示，是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。 双向传输原理： 为了方便讲述，定义 3.3V 为 A 端， 5.0V 为 B 端。 A 端输出低电平时（ 0V ） ，MOS 管导通， B 端输出是低电平（ 0V ） A 端输出高电平时（ 3.3V ）， MOS 管截至， B 端输出是高电平（ 5V ） A 端输出高阻时（ OC ） ，MOS 管截至， B 端输出是高电平（ 5V ） B 端输出低电平时（ 0V ） ，MOS 管内的二极管导通，从而使 MOS 管导通， A 端输出是低电平（ 0V ） B 端输出高电平时（ 5V ） ，MOS 管截至， A 端输出是高电平（ 3.3V ） B 端输出高阻时（ OC ） ，MOS 管截至， A 端输出是高电平（ 3.3V ） 优点： 1、适用于低频信号电平转换，价格低廉。 2、导通后，压降比三极管小。 3、正反向双向导通，相当于机械开关。 4、电压型驱动，当然也需要一定的驱动电流，而且有的应用也许比三极管大。 .