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电迁移原理 《电迁移原理》 的思考总结与扩展 姓名：李旭瑞 专业：华东师范大学 微电子 电迁移原理： 集成电路芯片内部采用金属薄膜引线来传导工作电流，这种传导电流的金属薄膜称作互连引线。随着芯片集成度的提高， 互连引线变得更细、更窄、更薄，因此其中的电流密度越来越大。在较高的电流密度作用下， 互连引线中的金属原子将会沿着电子运动方向进行迁移， ，其结果会使导体的某些部位产生空洞或晶须， 这种现象就是电迁移。它是引起集成电路失效的一种重要机制。 电迁移失效机理 产生电迁移失效的 内因：薄膜导体内结构的非均匀性外因：电流密度 从缺陷产生和积累得角度， 我们可以这样解释电迁移的失效机理， 即在电迁移过程中， 在子风和应力的作用下，互连线中的某些薄弱部位产生了缺陷 ; 缺陷的产生，重新改变了互连线中电流的分布，进而也会影响热分布 ; 这两个过程相互作 用，决定了缺陷在哪些薄弱部位产生 ; 随着时间 的增加，缺陷不断积累， 相邻较近的缺陷融合成 一个大缺陷 ; 当产生的缺陷足够大，在垂直电流 的方向上占有足够的面积， 互连线的电阻就会显 著增加 ; 最后当形成的缺陷横跨整个互连线横截 面，互连线断路在图 2.4 中，我们考虑金属原子 A，它的周围有十二个相邻的晶格位置，其中之 一被空位 V占据，其余被其他金属原子占据。 在 无电流应力条件下， 由于热运动， 原子 A 向其附 近任何一个方向移动的概率是相等的 ; 若在“电 子风”吹动的情况下， 很明显原子 A 向电子风方 向移动概率大大增加。 假设 A 要与人原子发生交 换，其过程也只能是通过原子与空位的交换， 即 人移到空位位置， A移到人位置，空位移到原的 位置，可见，空位移动一步之前移动了两个原子。 同理，若 A 往几方向移动， 空位移动一步须移动 三个原子。所以，同等电子风力条件下，金属原 子移动方向不同，难易程度也不同。 从电流密度角度， 我们可以这样解释电迁移的失效机理 在金属里作用了两种对立的力。这些力被称为“直接力”和“电子风”力。直接力是一种在电场的作用下，由激活的金属正离子沿电子流相反方向流动产生的力。另一方面，关于“电子风”力是金属离子在电子流方向因电子与离子的动量交换而形成的力。 在实践中，互连结构电迁移的可靠性评估使用了简单的方程。“电子风力”和“静电场力”的合 力给定为 式中， Fp 为电子风力； Fe 为场力； Z*e 为有效电荷；ρ为电阻率； j 为电流密度； Zwd 为电子风力有效电荷常数； Zei 为静电场力有效电荷常数。 当互连引线中的电流密度较高时， 向阳极运动的大量电子碰撞原子，使得所产生的电子风力， Fp 大于静电场力 Fe，因此，金属原子受到电子风力的驱动，产生了从阴极向阳极的受迫的定向扩散，即发生了金属原子的电迁移。 由于电迁移使金属原子从一个晶格自由扩散到 另一个晶格的空位上， 所以，通常描述原子电迁移 的 数 学 模 型 采 用 的 是 空 位 流 (J) 方 程 J ND 0 exp( Q b / KT ) qZ * j fKT 下面对上面的方程进行一下 推导： 电迁移的离子流密度为 J = NV 式中， V = μF 这里，N 为粒子流密度， V 为离子运动速度 , μ为离子迁移率 , F 为作用在离子上的力 F = Fq+Fe = q （Z-Z’） E = qZ*E 式中， Fq 为电场力， Fe 为载流子（电子）与 金属离子间动量交换产生的摩擦力 ;Z* 相当于有 效的原子价数 ,Z*q 称为有效电荷。 ∵ E = ρj ∴ F = q Z* ρj 式中，j 为电子流密度，ρ为电阻率。 则 J = NμF = N μqZ*ρj 式中， D0 为扩散常数， Qb 为扩散激活能， f 为取决于晶格类型的修正因子。 ∴ 电 迁 移 离 子 流 方 程 为 J ND 0 exp( fKT Q b / KT ) qZ * j （1） IC 常用的金属 Al 和 Au, 其 Z*0，说明“电子风”力使离子向正电极移动； 2 Au 膜抗电迁移能力大大优于 Al 膜； 3 说明 Al 抗电迁移能力较差； 4 W 、 Pt 、 Co 等 Z* 0, 说明“电子风” 导致金 属离子向负电极方向移动； 5, Pt 、 Co 的 Z* 很小，抗电迁移能力很强。 电迁移平均失效时间 MTF（ Median time to failure ） MTF — 反映器件表面金属化抗电迁移的能力 严格地讲，应译成“中值失效前时间”，简称 t50 。 T50 是指一组同样的金属薄膜， 在同样的测试或工作条件下，使 50％金属薄膜失效所需要的时间。 失效的判据为薄膜电阻增大 100％。 为了推断电迁移失效时间， Black 给出了