集成电路中的器件结构.pdfVIP

第3章 集成电路中的器件结构 3．1 电学隔离的必要性和方法 第 2 章中给出了二极管、双极型晶体管和 MOS 场效应晶体管的截面剖图 (见图 2—14、图2—19 和图2—31)。图中显示了这些器件的主要特征，但这种结构 不能直接用于集成电路之中，在集成 电路中它们的结构要复杂得多。 一块集成 电路中含有百万以至千万个二极管、晶体管以及 电阻、电容等元 件，而且它们都是做在一个硅芯片上，即共有同一个硅片衬底。因此，如果不把它 们在 电学上一一隔离起来，那么各个元器件就会通过半导体衬底相互影响和干扰， 以至整个芯片无法正常工作，这是集成电路设计和制造 首先要考虑的问题。为此 要引入隔离技术，然后在隔离的基础上根据 电路要求把相关的各元器件端口连接 起来，以实现电路的功能。 在现代集成 电路技术中，通常采用以下两种电学隔离方法：①通过反向 PN 结进行隔离；②采用氧化物(二氧化硅)加以隔离。这两种方法能较好地实现直流 隔离，其缺点是都会增加芯片面积并引入附加的电容。 现以 MOS 管为例说明反向 PN 结的隔离作用。如在一个硅片衬底上有两 个 N 沟