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高斯光束通过非线性介质的自聚焦现象 摘要：随着信息技术和纳米技术的迅速发展，要求光信息存储器件中 的最小信息位尺寸、大规模集成 电路和微 电子技术中的光刻线宽和光学 显微镜的分辨率等均能达到纳米量级（100nm），而由于光衍射本身的限 制，无法达到实际需求。非线性薄膜材料的研究，通过选择非线性强的光 学薄膜材料，调节激光能量和控制薄膜厚度及结构，在非线性薄膜结构的 出射面能使光斑尺寸进一步下降，实现纳米光斑。该光斑通过近场耦合作 用在信息存储薄膜或光刻薄膜上，从而实现纳米信息存储、纳米光刻或纳 米成像。 本文主要研究高斯激光束通过非线性均匀绝缘介质后光强的改变。由 电磁场基本原理，推导出高斯光束是缓变振幅条件下波动方程的近似解， 研究其在介质突变面处的反射透射。重点研究高斯激光束在非线性介质 中的传播问题，这一过程中有自聚焦现象。研究过程主要采用数值计算方 法用差分方程代替偏微分方程研究问题的数值解。比较光强的变化。 关键词 ：高斯光束，非线性，自聚焦，差分方程 1 一、引言 随着信息技术和纳米技术的迅速发展，要求光信息存储器件中的最 小信息位尺寸、大规模集成 电路和微 电子技术中的光刻线宽和光学显微 镜的分辨率等均能达到纳米量级（100nm），而由于光衍射本身的限制，无 法达到实际需求。而通过非线性薄膜材料的研究，通过选择非线性强的光 学薄膜材料，调节激光能量和控制薄膜厚度及结构，在非线性薄膜结构的 出射面能使光斑尺寸进一步下降，实现纳米光斑。该光斑通过近场耦合作 用在信息存储薄膜或光刻薄膜上，从而实现纳米信息存储、纳米光刻或纳 米成像。 实验中我们常常采用高斯光束作为光源进行 问题研究。高斯光束是 波动方程在缓变振幅下的一个特解，非线性介质的折射率随光强的变化 而变化，因而高斯光束通过非线性介质发生自聚焦和衍射现象，从而改变 能量分布。本文主要研究光强的变化，通过具体数值建立数学模型，采用 2 差分方程代替偏微分方程以求得 问题的数值解，研究光束通过非线性介 质后能量的变化。 二、预备知识 （一）波动方程 波动理论认为，光是一定频率范 围内的 电磁波，其运动规律可用 Maxwell 方程组来描述：    B   E    t     D        D (1-1)   H  J   t     B  0  其中， 上式中 为电场强度， 为电位移，  为磁场强度， 为磁感应强度， E D H B 一般情况下他们都是矢量且为时间空间坐标的函数，还满足物质方程：    