(完整版)TSMC65nm工艺中lvt_nch器件的一些参数仿真.docVIP

TSMC65nm工艺中 lvt_nch 器件的一些参数仿真 nmos管的特征频率 fT 特征频率是每一种工艺下的非常重要的参数， 它的定义是当电流增益降到 1 时所对应的频率。因此我们采用如图 1 所示的电路图进行仿真。 图 1. 特征频率 fT 测试电路图 说明：图中的电感 L0 的作用是使 V5 在直流情况下通过， 交流情况 下断开；电容 C1 是使理想电流源 I 2 直流情况下断开，交流情况下通过。 I 2 的 AC Magnitude 取值为 1A，这样做的好处就是只要测出电流 I d ， 它在数值上是与电流增益一致的。 用探针 IPRO0 和 IPRO1 分别测出 id 和 i g ，则 iGain  id  ，作出  iGain 随频率变化的曲线， 找出 iGain  =1 时对应的 ig 频率值就是我们想要知道的特征频率 fT 。这里我们对不同的 Vg 直流偏 置进行了扫描，得到的波形如图 2 所示： 图 2. iGain 随频率以及 Vgc 的变化曲线簇图 由于 cadence 软件的 CROSS函数未能正常使用，所以数据读取时 是采用肉眼读取，例如，当 Vgc 取 0.8V 时，当 iGain =1 时对应的频率 大概是 150GHz。特征频率是一个重要的指标， 它说明在电路中， 工作 的频率最大大概是特征频率的 1/3 到 1/4 ，超过这个值电路就不能正 常工作，所以再设计电路的时候要非常注意。 2. nmos管的 I V 特性曲线 V 特性曲线表示的是漏端电流跟 Vds 和 Vgs 的关系，具体的测量电路如图 3： 图 3. I V 特性曲线仿真电路图 说明：先对 Vds 进行参数 DC扫描，扫描范围在 0-1.2V ；接着再进行参数分析， Vgs 从 0-1.2V ，步数为 13 步。仿真结果如图 4： 图 4. I V 特性曲线图 从图 4 中可以看出， 在饱和区 I d 并不是严格的水平， 这是因为沟 道长度调制效应的影响。 nmos管的漏端输出电阻 nmos管的输出电阻可以将栅端接地， 在漏端加一个直流电压， 测 量 I d ，然后作两者之间的比值即为漏端输出电阻， 具体电路如图 5 所示： 图 5. 漏端输出电阻的测试电路图 考虑到随着 Vds 的变化，漏端输出电阻 Ro 可能发生变化，因此对 Vds 进行 DC参数扫描。 Vds 从 0-1.2V ，总步数为 20 步，得到的仿真结果 如图 6 所示： 图 6. 漏端输出电阻随 Vds 的变化图 从图中可以看出， 漏端输出电阻 Ro 先随 Vds 的增大而增大，大概到 Vds =0.3V 时， Ro 达到极值，接着随着 Vds 的增大， Ro 开始逐渐减小。 4. nmos管跨导 gm gm 的定义是输出电流和电压的比值， 其量纲是电阻的倒数。 因此 只需要在输入端加一个电压， 测量输出端的电流即可， 具体电路如图 所示： 图 7. 跨导 gm 的测量电路图 对 Vgs 进行参数扫描，范围从 0.2V-1.2V ，得到跨导 gm 随Vgs 的变化情况，如图 8 所示： 图 8. 跨导 gm 随电压 Vgs 变化的波形图 从图 8 中可以看出，跨导 gm 是随着电压 Vgs 的增大而增大的。 nmos管的 C V 特性曲线 V 特性曲线即是测量栅端输入电容跟栅电压的关系。考虑电容特 性： AC下 I ac 2 fC ，如果令交流电压 Vac ，选择频率 f 使得 2 f Vac =1V =rad/s ，这时候得到的交流电流就是电容值。因此测量电流如图 9 所示： 图 9. C V 特性曲线测量电路图 图中 C0 的作用完全是为了起到对照的作用， 其大小取的是 500fF 。 测得的 C V 特性曲线如图 10 所示： 图 10. C V 特性曲线图 图中纵坐标采用对数格式。 从图中可以看出， 当栅压由负值往零变化时，栅电容是逐渐减小的；而当栅压由零往正值变化时，栅电容 又开始逐渐增大。