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（国内标准）国家标准重掺 型硅衬底中硼沾污的二次 离子质谱检测方法（送 GB/T □□□□—200□ 前言 本 标 准 技 术 内 容 等 同 采 用 SEMIMF1528-1104TestmethodformeasuringBoroncontaminationinheavilydopedn-typesili consubstratesbysecondaryionmassspectrometry标准。和原标准相比，本标准对原标准格 式进行了相应调整。 本标准由全国半导体材料和设备标准委员会提出。 本标准由中国有色金属工业标准计量研究所归口。 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四 十六研究所。 本标准主要起草人：马农农、何友琴、丁丽。 重掺n 型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 1 范围 1.1 本标准适用于二次离子质谱法（SIMS ）对重掺n 型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污（总 量）的测试。 20 3 1.2 本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2％（1×10 atoms/cm ）的硅材料中硼浓度的 14 3 检测。特别适用于硼为非故意掺杂的 p 型杂质，且其浓度为痕量水平（5×10 atoms/cm ） 的硅材料的测试。 1.3 本标准适用于检测硼沾污浓度大于 SIMS 仪器检测限（根据仪器的型号不同，检测限大约 12 3 13 3 于 5×10 atoms/cm ~5×10 atoms/cm ）俩倍的硅材料。 1.4 原则上，本标准对于不同表面情况的样品均适用，可是本标准中的精度估算值是从表面 抛光样品的测试数据中得到的。 2.引用标准 下列标准所包含的条文通过本标准中引用而构成本标准的条文。凡是注日期的引用文件，只 有引用的版本适用，凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准（包括任何修正本）。 GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T12962 硅单晶 SEMIM10302 硅单晶抛光片规范 SEMIMF1241 硅技术术语 ASTME122 评价壹批产品或壹个工艺过程质量的样品大小的选择惯例 3 术语和定义 3.1 定义 3.1.1 离子质谱－根据质荷比的不同将离子分开且计数 3.1.2 壹次离子－由离子枪产生的离子，聚焦到样品表面，溅射且离化样品表面原子。 3.1.3 二次离子质谱－对样品表面溅射出来的二次离子进行质谱分析。 3.1.4 二次离子－于壹次离子束的溅射下，样品表面原子离化且脱离样品表面形成的离子。 3.2 硅晶片技术中用到的其他术语的定义参考 GB/T14264 、SEMIM10302 和 SEMIMF1241 标准。 4.原理 具有壹定能量的壹次离子对样品表面进行轰击，溅射出二次离子，用质谱的方法对二次 离子进行分析，利用相对灵敏度因子法进行定量。 5.干扰因素 5.1 表面吸附的硼干扰硼的测试。 5.2 从 SIMS 仪器样品室吸附到样品表面的硼干扰硼的测试。 5.3 于样品架窗口范围内的样品表面必须平整，以保证每个样品移动到分析位置时，其表面 和离子收集光学系统的倾斜度不变，否则测试的准确度和精度均有所降低。 5.4 测试的准确度和精度随着样品表面粗糙度的增大而显著降低，能够通过对样品表面腐蚀 抛光予以消除。 5.5 参考样品中硼的不均匀性会限制测试精度。 5.6 参考样品中硼标称浓度的偏差会导致 SIMS 测试结果的偏差。 6.测量仪器 6.1 扇形磁场 SIMS 仪器仪器需要装备氧壹次离子源，能检测正二次离子的电子倍增器和法拉 第杯检测器。SIMS 仪器必须状态良好（例如经过烘烤），以便尽可能降低仪器背景。 -6 6.2 液氮或者液氦冷却低温板如果分析室的真空度≥1.3×10 Pa ，用液氮或者液氦冷却的低温