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IGBT 模块参数详解一-IGBT 静态参数  VCES ：集电极-发射极阻断电压 在可使用的结温范围内栅极-发射极短路状态下，允许的断态集电极-发射极最高电压。手册 里 VCES 是规定在 25°C 结温条件下，随着结温的降低 VCES 也会有所降低。降低幅度与温 度变化的关系可由下式近似描述： .模块及芯片级的 VCES 对应安全工 作区由下图所示：文章来源：/jc/19.html Collector-emitter voltage of the IGBT 由于模块内部杂散电感，模块主端子与辅助端子的电压差值为 ，由于内部 及外部杂散电感，VCES 在 IGBT 关断的时候最容易被超过 VCES 在任何条件下都不允许 超出，否则 IGBT 就有可能被击穿  Ptot：最大允许功耗 在 Tc=25°C 条件下，每个 IGBT 开关的最大允许功率损耗，及通过结到壳的热阻所允许的 最大耗散功率 Ptot 可由下面公式获得： Maximum rating for Ptot 二极管所允许的最大功耗可由相同的方法计算获得  IC nom：集电极直流电流 在可使用的结温范围内流过集电极-发射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可 以由 Ptot 的公式计算最大允许集电极电流。因而为了给出一个模块的额定电流，必须指定 对应的结和外壳的温度，如下图所示。请注意，没有规定温度条件下的额定电流是没有意义 的 Specified as data code: FF450R17ME3 在上式中 Ic 及 VCEsat @ Ic 都是未知量，不过可以在一些迭代中获得。考虑到器件的容差， 为了计算集电极额定直流电流，可以用 VCEsat 的最大值计算 计算结果一般会高于手册值，所有该参数的值均为整数。该参数仅仅代表 IGBT 的直流行为， 可作为选择 IGBT 的参考，但不能作为一个衡量标准  ICRM：可重复的集电极峰值电流 最大允许的集电极峰值电流（Tj ≤150°C），IGBT 在短时间内可以超过额定电流。手册里定 义为规定的脉冲条件下可重复集电极峰值电流，如下图所示。理论上，如果定义了过电流持 续时间，该值可由允许耗散功耗及瞬时热阻 Zth 计算获得。然而这个理论值并没有考虑到 绑定线、母排、电气连接器的限制。因此，数据手册的值相比较理论计算值很低，但是，它 是综合考虑功率模块的实际限制规定的安全工作区  RBSOA：反偏安全工作区 该参数描述了功率模块的 IGBT 在关断时的安全工作条件。如果工作期间允许的最大结温不 被超过，IGBT 芯片在规定的阻断电压下可驱使两倍的额定电流。由于模块内部杂散电感， 模块安全工作区被限定，如下图所示。随着交换电流的增加，允许的集电极-发射极电压需 要降额。此外，电压的降额很大程度上依赖于系统的相关参数，诸如 DC-Link 的杂散电感 以及开关转换过程换流速度。对于该安全工作区，假定采用理想的 DC-Link 电容器，换流 速度为规定的栅极电阻及栅极驱动电压条件下获得 Reverse bias safe operating area  Isc：短路电流 短路电流为典型值，在应用中，短路时间不能超过 10uS IGBT 的短路特性是在最大允许 运行结温下测得  VCEsat ：集电极-发射极饱和电压 规定条件下，流过指定的集电极电流时集电极与发射极电压的饱和值（IGBT 在导通状态下 的电压降） o o 手册的 VCEsat 值是在额定电流条件下获得，给出了 Tj 在 25 C 及 125 C 的值 Infineon 的 IGBT 都具有正温度效应，适宜于并联。手册的