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- 2020-10-23 发布于上海
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第三章 太阳能电池;第一节 半导体物理知识;二、半导体硅的晶体结构;三、本征半导体和杂质半导体;(二)杂质半导体;(三)载流子的输运;(四)p-n结;P型和n型半导体接触后,由于浓度差,载流子会发生扩散运动
N型区的多子(电子)要向p型区扩散,p型区多子(空穴)向n型区扩散
扩散的结果:n型区形成正电荷区域;p型区形成负电荷区域
在p型区和n型区交界区域,形成一层很薄的空间电荷区,即p-n结
P-n结内部会产生一个内建电场,在空间电荷内将产生载流子的漂移运动
漂移运动载流子运动方向与扩散运动载流子运动方向相反
当漂移运动和扩散运动载流子数目相同时,达到动态平衡
此时内建电场电势差称为p-n结势垒;第二节 太阳能电池的工作原理与特性;二、太阳能电池的结构——以硅太阳能电池为例;三、太阳能电池的基本工作原理;(二)太阳能电池的基本工作原理;四、太阳能电池的基本特性;(二)太阳能电池的电流-电压特性;(2)太阳能电池的电压电流数学关系;(3)太阳能电池的电压电流曲线;(4)最大功率输出;(三)太阳能电池的填充因子;(四)太阳能电池的光谱响应;(五)太阳能电池的光电转换效率;(六)温度对太阳能电池输出性能的影响;五、太阳能电池组;(一)电池单元串联;(二)电池单元并联;(三)电池单元串并联; 太阳能电池组件中某一个电池被遮蔽,将作为负载消耗
其他太阳能电池组件产生的能量,而发热,
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